ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Визуализация заращенных наноостровков GeSi в кремниевых структурах методом атомно-силовой микроскопии на сколах

М.С.Дунаевский, З.Ф.Красильник *, Д.Н.Лобанов *, А.В.Новиков *, А.Н.Титков, R.Laiho +

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603600 Нижний Новгород, Россия
+ Wihury laboratory, University of Turku, Turku, Finland

(Получена 21 ноября 2002 г. Принята к печати 3 декабря 2002 г.)

Методом атомно-силовой микроскопии в атмосферных условиях исследовались топографические характеристики сколов структур Ge / Si, содержащих заращенные слои наноостровков GeSi. Показано, что релаксация упругих напряжений островков и прилегающих к ним областей матрицы Si на свободной поверхности скола приводит к проявлению локальных топографических особенностей на сколах структур. Обнаружено, что островки могут проявляться на поверхности скола в виде двух типов топографических особенностей: в виде бугорков, когда плоскость скола непосредственно пересекает островок, упруго сжатый в матрице Si, или в виде ямки, когда плоскость скола пересекает прилегающую к островку область Si-матрицы, подвергнутую растяжению. Выполненные исследования продемонстрировали возможности нового метода изучения заращенных наноостровков в целях их обнаружения, оценки размеров, распределений по размерам, эффектов взаимодействия в многослойных структурах, а также выявления связанных с ними деформаций.

 PDF версия (598Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster