ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектрические явления в монокристаллах CdV2S4
и структурах на их основе

А.А.Вайполин, Ю.А.Николаев, И.К.Полушина, В.Ю.Рудь*, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков, N.Fernelius $

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
$ Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA

(Получена 2 декабря 2002 г. Принята к печати 3 декабря 2002 г.)

Выращены монокристаллы тройного соединения CdV2S4 и выполнены исследования их кристаллической структуры, электрических свойств и оптического поглощения. Показано, что замещение элемента III группы в соединениях AIIBIII2CVI4 на ванадий приводит к получению кристаллов n-типа проводимости с концентрацией электронов ~1018 см-3 и холловской подвижностью Un~150 см2/(В·с) при T=300 K, которая ограничивается рассеянием на колебаниях решетки. На монокристаллах CdV2S4 созданы первые выпрямляющие фоточувствительные структуры, исследованы их фотоэлектрические свойства и сделан вывод о возможности их применения при создании широкодиапазонных фотосенсоров естественного излучения.

 PDF версия (206Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster