ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и рентгеновский микроанализ монокристаллов на основе теллурида висмута

И.В.Гасенкова, В.А.Чубаренко *, Е.А.Тявловская, Т.Е.Свечникова +

Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии,
220090 Минск, Республика Белоруссия
* Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
117333 Москва, Россия
+ Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук,
117911 Москва, Россия

(Получена 13 августа 2002 г. Принята к печати 30 октября 2002 г.)

Обсуждены экспериментальные данные по распределению и атомарным соотношениям элементов в монокристаллах Bi2Te2.94Se0.06, Bi2Te2.88Se0.12, Bi1.99Sn0.01Te2.94Se0.06, Bi1.99Sn0.01Te2.88Se0.12, полученные методами рентгеновского микроанализа и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопией. Установлено, что примесь олова, введенная в концентрации x=0.01, повышает однородность распределения висмута и теллура в твердых растворах, а увеличение концентрации Se с y=0.06 до 0.12 приводит к флуктуации состава от 0.5 ат% в не легированных и до 0.3 ат% в легированных Sn твердых растворах на основе Bi2Te3. Определены энергии связи остовных электронов в указанных монокристаллах и обнаружено изменение полной плотности электронных состояний в валентной зоне вблизи уровня Ферми при введении примеси Sn.

 PDF версия (181Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster