ФТП, 2003, том 37, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Квантово-химическое моделирование влияния дефектов на инфракрасный спектр и электронную структуру a-Se

А.С.Зюбин *, Ф.В.Григорьев , C.А.Дембовский

Институт общей неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
* Институт проблем химической физики Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 12 ноября 2002 г. Принята к печати 18 ноября 2002 г.)

Проведено квантово-химическое моделирование влияния дефектов типа гипервалентных конфигураций и VAP-d на спектр инфракрасного поглощения и электронную структуру a-Se. Показано, что формирование VAP-d приводит к появлению дополнительного пика в высокочастотной области (337 cм-1), а гипервалентная конфигурация дает два дополнительных пика вблизи основной частоты валентных колебаний. Найдено, что формирование гипервалентных конфигураций вызывает существенные сдвиги верхних занятых и нижних вакантных молекулярных орбиталей, что должно приводить к появлению в запрещенной зоне локализованных состояний, которые могут играть роль как ловушек, так и доноров электронов. В рентгеновском эмиссионном спектре лишь один из рассмотренных дефектов приводит к появлению дополнительного пика, отстоящего от верхнего края полосы поглощения на 1.5 эВ, что делает возможным его обнаружение экспериментальным путем.

 PDF версия (290Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster