ФТП, 2003, том 37, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия в пористый 4H-SiC

М.Г.Мынбаева , А.А.Лаврентьев *, Н.И.Кузнецов, А.Н.Кузнецов, К.Д.Мынбаев, А.А.Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* НП \glqq Центр по исследованию роста кристаллов\grqq,
193036 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 сентября 2002 г. Принята к печати 4 октября 2002 г.)

Полуизолирующие слои карбида кремния получены диффузией ванадия в пористый 4H-SiC. Диффузия проведена из пленки, полученной сораспылением кремния и ванадия, и содержавшей 20% ванадия. Диффузионный профиль ванадия в пористом карбиде кремния имел сложную структуру с коэффициентом быстрой диффузии 7·10-15 см2/с. Энергия активации удельного сопротивления диффузионно-легированных ванадием слоев пористого SiC была равна 1.45 эВ. Удельное сопротивление легированных ванадием полуизолирующих слоев составило 5·1011 Ом·см при 500 K и на 2 порядка превышало удельное сопротивление нелегированного пористого SiC. Полученные результаты указывают на перспективность использования пористого SiC для создания полуизолирующих подложек для приборных структур на основе широкозонных полупроводников.

 PDF версия (144Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster