ФТП, 2003, том 37, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs / GaAs / AlGaAs с тонким разделяющим AlAs-слоем

Г.Б.Галиев, М.В.Карачевцева, В.Г.Мокеров, В.А.Страхов, Г.Н.Шкердин, Н.Г.Яременко

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
103907 Москва, Россия

(Получена 22 мая 2002 г. Принята к печати 28 октября 2002 г.)

В диапазоне температур 77-300 K исследованы спектры фотолюминесценции системы из двух квантовых ям Al0.21Ga0.79As / GaAs / Al0.21Ga0.79As, разделенных тонким AlAs-барьером. Ширина ям менялась в пределах 65-175 Angstrem, толщина AlAs-барьера составляла 5, 10 и 20 Angstrem. При достаточно малой толщине AlAs-барьера (5, 10 Angstrem) электронная связь между ямами заметно влияет на энергетический спектр квантовых состояний. Это приводит к смещению основной полосы фотолюминесценции, а на высокотемпературных спектрах --- к появлению особенностей, обусловленных расщеплением уровней на симметричные и антисимметричные состояния. При толщине AlAs-барьера 20 Angstrem структура представляет собой систему из двух изолированных асимметричных квантовых ям Al0.21Ga0.79As / GaAs / AlAs. Проведен расчет энергии уровней в двойных связанных ямах в зависимости от ширины ямы и толщины AlAs-барьера, и получено хорошее согласие наблюдаемых в эксперименте энергий оптических переходов с расчетными значениями.

 PDF версия (232Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster