ФТП, 2003, том 37, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронные и оптические свойства сверхрешеток AlAs / AlxGa1-xAs (110)

Г.Ф.Караваев, В.Н.Чернышов, Р.М.Егунов

Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия

(Получена 29 июля 2002 г. Принята к печати 16 октября 2002 г.)

Исследованы электронные состояния в зоне проводимости сверхрешеток (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N (110) при различных M и N. Показано, что электронные свойства этих структур в основном определяются электронами двух пар долин --- или Gamma-XZ, или XX-XY. Расчеты проведены на основе разработанной нами модели сшивания огибающих функций. Найдены и проанализированы минизонные спектры, симметрия и локализация волновых функций, а также вероятности межминизонного инфракрасного поглощения. Показано, что в случае XX-XY-связки долин вероятности поглощения имеют значительную величину не только при поляризации света в направлении оси роста сверхрешетки, но также и при нормальном к поверхности структуры падении световой волны.

 PDF версия (224Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster