ФТП, 2003, том 37, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми

В.Н.Брудный , С.Н.Гриняев, Н.Г.Колин *

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,
634050 Томск, Россия
* Филиал ГНЦ РФ \glqq Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова\grqq,
249033 Обнинск, Россия

(Получена 22 июля 2002 г. Принята к печати 16 октября 2002 г.)

Предложена теоретическая модель наиболее локализованного дефектного состояния кристалла, пригодная для расчета стационарного положения уровня Ферми в радиационно-модифицированных полупроводниках, оценки высоты барьера контакта металл/полупроводник и разрывов энергетических зон в полупроводниковых гетеропарах. Показано, что такому состоянию соответствует наиболее глубокий уровень в области запрещенной зоны каждого полупроводника. Данный уровень выполняет роль, аналогичную уровню электронного химического потенциала, в объемном дефектном полупроводнике и на межфазной границе. Выполнены численные расчеты энергетического положения данного уровня в полупроводниковых группах IV и III-V.

 PDF версия (282Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster