ФТП, 2003, том 37, выпуск 5
ФТП, 2003, том 37, выпуск 5
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
М.Г.Ткачман, Т.В.Шубина, В.Н.Жмерик, С.В.Иванов, П.С.Копьев, Т.Паскова, Б.Монемар
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Университет г. Линчепинга, Отделение физики и экспериментальной технологии,
S-581 83 Линчепинг, Швеция
(Получена 9 сентября 2002 г. Принята к печати 11 сентября 2002 г.)
| Представлены результаты сравнительного анализа качества эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Спектры фотолюминесценции слоев обоих типов носят экситонный характер. Для точного определения природы экситонных переходов были сняты спектры отражения. Акцент работы сделан на исследовании экситонной люминесценции с участием фононов, что дает информацию о плотности распределения экситонных состояний. Исследованы температурные зависимости энергий экситонных переходов и отношения интенсивностей первой и второй фононных реплик. Выполненные исследовaния показали хорошее качество обоих типов слоев GaN, хотя в слоях, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, присутствует большее количество примесей акцепторного типа. |
| PDF версия (255Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |