ФТП, 2003, том 37, выпуск 5
ФТП, 2003, том 37, выпуск 5
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Локальная особенность изменения спектра пикосекундной суперлюминесценции при дополнительной генерации носителей в нефермиевскую электронно-дырочную плазму в GaAs
Н.Н.Агеева, И.Л.Броневой, А.Н.Кривоносов, С.Е.Кумеков, С.В.Стеганцов
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
101999 Москва, Россия
Алматинский технологический университет,
480012 Алматы, Республика Казахстан
(Получена 10 июня 2002 г. Принята к печати 9 сентября 2002 г.)
| Плотная горячая электронно-дырочная плазма и пикосекундная суперлюминесценция возникали при накачке слоя GaAs пикосекундным () импульсом света. Распределение электронов по зоне проводимости было модулировано с периодом, равным энергии -фонона. Исследовалось влияние на суперлюминесценцию дополнительной накачки GaAs импульсом света с эВ. При одновременной накачке - и -импульсами в спектре относительного увеличения энергии суперлюминесценции возникали локальные максимум или минимум при энергии фотона, при которой расположен максимум в спектре энергии суперлюминесценции в активной области слоя GaAs. Локальный максимум возникал, когда электроны, рожденные -импульсом на уровне с обедненной заселенностью, излучали по -фонону и рекомбинировали. Локальный минимум возникал, когда электрон рождался -импульсом на уровне с фермиевской заселенностью. Спектральная ширина локальных максимума и минимума оказалaсь уже, чем расчетная ширина энергетического уровня, с которого электроны рекомбинируют. |
| PDF версия (179Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |