ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние обработки ионами Ar низких энергий на характеристики рабочей и тыльной сторон подложки монокристаллического GaAs

А.С.Алалыкин , П.Н.Крылов, И.В.Федотова, А.Б.Федотов *

Удмуртский государственный университет,
426034 Ижевск, Россия
* Нижегородский государственный технический университет,
603024 Нижний Новгород, Россия

(Получена 10 июля 2002 г. Принята к печати 4 октября 2002 г.)

Бесконтактными методами исследованы характеристики рабочей и тыльной сторон подложек монокристаллического арсенида галлия, подвергнутого обработке тыльной стороны ионами аргона низких энергий. Обнаружены изменения оптических и фотоэлектрических свойств облучаемых и необлучаемых сторон. Предложен солитонный механизм проникновения дефектов в глубь кристалла.

 PDF версия (171Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster