Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света, электроотражения и масс-спектроскопии нейтральных частиц (SNMS) исследованы гетероструктуры Si / SiGe / SiGe : C / SiGe / Si. Показано, что легирование углеродом (1.5%) слоя SiGe, лежащего между нелегированными слоями SiGe, приводит к почти полной релаксации в нем механических напряжений. Установлено, что высокотемпературный фотонный отжиг обусловливает частичную релаксацию напряжений в нижнем буферном слое SiGe, но при этом увеличивает в нем концентрацию атомов Si. Низкотемпературная обработка в водородной высокочастотной плазме приводит к значительной релаксации механических напряжений в этом слое без изменения его компонентного состава. Результаты, полученные из спектров электроотражения и спектроскопии SNMS, коррелируют с данными, полученными методом спектроскопии комбинационного рассеяния света.