ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Характеристики арсенидгаллиевых структур и приборов Ганна на их основе, изготовленных с применением радиационно-термической технологии

М.В.Ардышев, В.М.Ардышев

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия

(Получена 5 августа 2002 г. Принята к печати 6 сентября 2002 г.)

Ионно-легированные слои создавали имплантацией ионов серы в монокристаллический GaAs, а также в эпитаксиальные пленки GaAs на полуизолирующих подложках с последующим термическим отжигом. Дополнительную радиационную обработку проводили с помощью галогенных ламп (фотонный отжиг). По планарной технологии изготавливали приборы Ганна и интегральные схемы на их основе. Показано, что дополнительная обработка приводит к росту подвижности электронов в слоях за счет снижения концентрации центров рассеяния. Структуры приборов Ганна, подвергнутые фотонному отжигу, характеризуются лучшей однородностью и более высоким значением перепада тока. Слои генерируют близкие к идеальным импульсы тока; отсутствуют эффекты, связанные с захватом на ловушки, а также ударная ионизация.

 PDF версия (175Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster