Исследованы накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении их электронами (энергия 2.5 МэВ) и $$gamma-квантами (энергия 662 кэВ). Обнаружено, что в скрытом диэлектрике структур после облучения появляется дополнительный положительный заряд. Концентрация ловушек для дырок, генерируемых в окисле облучением, вблизи границы с подложкой выше, чем у границы сращивания отсеченный слой кремния$>$/окисел. Показано, что наличие даже небольшого встроенного поля в структурах ($F>~=\; 5$· 10³ В/см) приводит к эффективному разделению носителей. Генерация дополнительных состояний на границах Si/SiO$$₂ в структурах кремний-на-изоляторе отсутствует при обоих видах облучения, хотя наблюдается в исходном термическом окисле.