ФТП, 2003, том 37, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние отжига в парах и в жидком Zn на фотолюминесценцию высокочистых поликристаллов ZnTe

В.С.Багаев, В.В.Зайцев, Ю.В.Клевков, В.С.Кривобок, Е.Е.Онищенко

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 24 июля 2002 г. Принята к печати 6 сентября 2002 г.)

Проведено исследование фотолюминесценции высокочистых поликристаллов ZnTe. Изучена эволюция спектров излучения после отжига в Zn. В исходных образцах обнаружен эффект скопления примесей. Этот эффект приводит к появлению ондулярного спектра на длинноволновой стороне линии, обусловленной излучением экситона, локализованного на акцепторе. Показано, что отжиг приводит к гомогенизации распределения примесей, следствием чего является проявление богатой структуры двухдырочных переходов. Анализ этих линий позволил определить значения энергий основного и возбужденных состояний акцепторных примесей Li и Cu.

 PDF версия (178Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster