ФТП, 2003, том 37, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Термический перенос заряда и поляризация широкой полосы люминесценции с максимумом при энергии фотонов вблизи 1.2 эВ в n-GaAs : Te при одноосной деформации

А.А.Гуткин, М.А.Рещиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 июля 2002 г. Принята к печати 22 июля 2002 г.)

Рассмотрено влияние температуры на индуцированную давлением вдоль оси [111] поляризацию широкой полосы фотолюминесценции, связанной с комплексами VGaTeAs в GaAs : Te. Показано, что в некотором интервале температур вводимое давлением различие энергий активации термической эмиссии дырок для комплексов разной ориентации приводит к резкому увеличению интегральной поляризации излучения, вызванного рекомбинацией свободных электронов с дырками, локализованными на комплексах, по сравнению с поляризацией этого излучения при более низкой температуре. Экспериметальные исследования при давлении 10 кбар обнаружили подобное поведение поляризации в диапазоне температур 140--190 K. Аппроксимация экспериментальных зависимостей расчетными кривыми показала применимость предложенной ранее модели совокупности дефектов, вызывающих рассматриваемую полосу люминесценции, а также позволила уточнить их некоторые параметры и оценить изменение энергии активации термической эмиссии дырок с центров разной ориентации под влиянием давления вдоль оси [111].

 PDF версия (115Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster