| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние примеси гадолиния на прозрачность и отражательную способность кристаллов HgInTe
П.М.Горлей, О.Г.Грушка, З.М.Грушка
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина
(Получена 4 июня 2002 г. Принята к печати 17 июня 2002 г.)
| Представлены результаты измерений спектров пропускания и отражения света в области прозрачности полупроводниковых кристаллов HgInTe. Показано, что во всем исследованном диапазоне длин волн 2--25 мкм легирование приводит к увеличению сплошного бесструктурного поглощения на примесях и дефектах, создающих в запрещенной зоне квазинепрерывный спектр локализованных состояний. Уменьшение прозрачности сопровождается понижением коэффициента отражения, не зависящего от длины волны. Изменение показателя преломления объясняется изменением характера связи и величины электронной поляризации кристаллов HgInTe. Установлена линейная зависимость изменения поляризационных констант от напряженности внутренних полей, существующих вблизи примесных дефектов. |
| PDF версия (78Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |