ФТП, 2003, том 37, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Температурная зависимость зонной структуры политипов 3C, 2H, 4H и 6H карбида кремния

С.М.Зубкова, Л.Н.Русина, Е.В.Смелянская *

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины,
03680 Киев-142, Украина
* Национальный технический университет \glqq Киевский политехнический институт\grqq,
03056 Киев, Украина

(Получена 22 октября 2001 г. Принята к печати 2 апреля 2002 г.)

Методом эмпирического псевдопотенциала впервые рассчитаны температурные зависимости актуальных экстремумов энергии в высокосимметричных точках Gamma, X, L, K, M, A, H зоны Бриллюэна кубической и гексагональных модификаций SiC, а также энергий основных межзонных переходов в этих точках. Влияние температурной зависимости электрон-фононного взаимодействия на зонную структуру кристалла учитывалось через факторы Дебая--Валлера, а вклад линейного расширения решетки --- через температурную зависимость коэффициента линейного расширения. Подробно анализируются особенности температурных зависимостей энергетических уровней, межзонных и внутризонных переходов. Сравнение с имеющимися экспериментальными данными по исследованию свойств p-n-структур на основе карбида кремния, работающих в режиме электрического пробоя, показало хорошее согласие. Например, температурный коэффициент перехода X1c-X3c, определяющего узкую фиолетовую полосу в спектре пробойной электролюминесценции в обратно-смещенных p-n-переходах, оказался существенно меньше температурных коэффициентов межзонных переходов <зона проводимости>--<валентная зона>. Это хорошо согласуется с экспериментальной кривой температурного коэффициента спектрального состава излучения, имеющей минимум в той же спектральной области.

 PDF версия (307Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster