ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние заряженных дефектов на обнаружение электронного парамагнитного резонанса в стеклообразных халькогенидных полупроводниках

Л.П.Гинзбург

Московский технический университет связи и информатики,
111024 Москва, Россия

(Получена 12 марта 2002 г. Принята к печати 10 июня 2002 г.)

На основе рассмотрения электронных процессов, сопровождающих фотовозбуждение зона--зона, установлена связь между концентрацией наведенных спинов и концентрацией врожденных U--центров.

 PDF версия (170Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster