ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Математическое моделирование кинетики высокотемпературного окисления кремния и структуры пограничного слоя в системе Si--SiO2

Г.Я.Красников, Н.А.Зайцев, И.В.Матюшкин

НИИ молекулярной электроники и завод \glqq МИКРОН\grqq,
103460 Зеленоград, Москва, Россия

(Получена 27 марта 2002 г. Принята к печати 22 апреля 2002 г.)

Рассмотрены возможные структурные комплексы, образующиеся при высокотемпературном термическом окислении кремния в пограничном слое в системе Si--SiO2. На основании концепции пограничного слоя предложена математическая модель кинетики полимеризации кремний-кислородных кластеров. Отмечено влияние диффузионного потока этих кластеров на процентное содержание цепочек SiO4-тетраэдров разной длины в объеме SiO2.

 PDF версия (240Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster