ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение констант деформационного потенциала n-Si, p-Si по концентрационному ангармонизму

А.А.Скворцов, О.В.Литвиненко, А.М.Орлов

Ульяновский государственный университет,
432700 Ульяновск, Россия

(Получена 27 февраля 2002 г. Принята к печати 24 апреля 2002 г.)

Проведен анализ вклада носителей заряда в модуль упругости 4-го порядка beta для кремния n- и p-типов при одноосном растяжении в направлении [110] в приближении малых деформаций. Концентрационное изменение beta измерялось методом спонтанного возбуждения волн Лэмба в изогнутых пластинах разного уровня легирования. По экспериментальным зависимостям определена константа деформационного потенциала зоны проводимости Xiu=7±1 эВ и усредненное значение деформационного потенциала валентной зоны \root4\of<Phi4>=5.6±0.8 эВ при комнатной температуре.

 PDF версия (126Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster