Методом математического моделирования исследовано распределение потока туннельной рекомбинации по области пространственного заряда $p-n$-перехода. Показано, что при малых значениях вероятности туннелирования скорость рекомбинации достигает насыщения. Приведено выражение для вольт-амперной характеристики $p-n$-перехода в случае туннельной рекомбинации. Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик кремниевых лавинных диодов, содержащих дислокации. Результаты численных расчетов на основе модели туннельной рекомбинации согласуются с экспериментальными данными.