ФТП, 2002, том 36, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в PbTe и твердых растворах на его основе
О б з о р

Ю.И.Равич, С.А.Немов

Санкт-Петербургский государственный технический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получен 24 мая 2001 г. Принят к печати 30 мая 2001 г.)

Рассматриваются результаты экспериментального исследования явлений переноса (электропроводности, коэффициентов термоэдс, Холла и Нернста--Эттингсгаузена) в PbTe и твердых растворах Pb1-xSnxTe с большим содержанием примесей In (до 20 ат%) при температурах до 400 K. Многие свойства изучаемых веществ подобны свойствам некристаллических материалов. Анализ экспериментальных данных производится на основе представления о прыжковой проводимости по сильно локализованным примесным состояниям, созданным атомами индия. Объяснены необычные для полупроводников типа AIVBVI температурные зависимости кинетических коэффициентов, изменение знака термоэдс при отрицательном коэффициенте Холла, положительный коэффициент Нернста--Эттингсгаузена. Из экспериментальных данных определены энергия активации прыжковой проводимости, характеризующая эффективный разброс примесных энергетических уровней, эффективный радиус волновой функции и плотность локализованных состояний как функция энергии. Изложению результатов исследования прыжковой проводимости предшествует краткое описание резонансных и глубоких локализованных электронных состояний, создаваемых примесью In в соединениях AIVBVI, особое внимание уделено особенностям примесных состояний в образцах с высокими концентрациями In, где наблюдается прыжковая проводимость.

 PDF версия (374Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2002, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster