ФТП, 2002, том 36, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Варизонный детектор ионизирующего излучения

Ю.Пожела, К.Пожела, А.Шиленас, В.Ясутис, Л.Дапкус, А.Киндурис, В.Юцене

Институт физики полупроводников,
2600 Вильнюс, Литва

(Получена 8 мая 2001 г. Принята к печати 31 мая 2001 г.)

Исследован токовый отклик варизонных слоев AlxGa1-xAs на оптическое и рентгеновское излучение. Варизонное поле в слоях AlxGa1-xAs толщиной 15 мкм с изменением x от 0 до 0.4 обеспечивает полное собирание зарядов, генерируемых ионизирующим излучением, и позволяет получить ампер-ваттную чувствительность AlxGa1-xAs до 0.25 А/Вт. В слоях с пониженным легированием узкозонной стороны варизонного слоя AlxGa1-xAs вольт-ваттная чувствительность к рентгеновскому излучению с энергией ниже 15 кэВ достигает в фотовольтаическом режиме 1.6· 103 В/Вт.

 PDF версия (113Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2002, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster