Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 11
Водаков Ю.А., Гирка А.И., Константинов А.О., Мохов Е.Н., Роенков А.Д., Свирида С.В., Семенов В.В., Соколов В.И., Шишкин А.В.
Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами
1857
Константинова Н.Н., Магомедов М.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Поляризационная фоточувствительность тонкопленочных структур p-CuInSe
2
-n-CdS
1861
Ильин Н.П., Мастеров В.Ф., Васильев А.Э.
Примесный центр с частично заполненной d-оболочкой в бинарном полупроводнике
1866
Ильин Н.П., Васильев А.Э., Мастеров В.Ф.
Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия
1878
Карпович И.А., Алешкин В.Я., Аншон А.В., Байдусь Н.В., Батукова Л.М., Звонков Б.Н., Планкина С.М.
Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
1886
Цидильковский И.М., Леринман Н.К., Сабирзянова Л.Д., Паранчич С.Ю., Паранчич Ю.С.
Резонансные состояния, образованные примесями кобальта и никеля в селениде ртути
1894
Долманов И.Н., Марков А.К., Толстихин В.И.
Интерференционные эффекты в спектрах фотоионизации структур с квантовыми ямами
1899
Авруцкий И.А., Осауленко О.П., Плотниченко В.Г., Пырков Ю.Н.
Определение однородности квантовых ям на основе InGaAs/GaAs по фотомодуляционным спектрам
1907
Алимов О.М., Петров В.В., Харченко Т.Д., Явид В.Ю.
Влияние редкоземельных элементов на энтальпию и энтропию ионизации радиационных дефектов в германии, легированном фосфором
1914
Грибковский В.П., Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Луценко Е.В., Морозова Н.К., Шульга Т.С., Яблонский Г.П.
Кристаллографическая ориентация и примесное свечение стримерных разрядов в монокристаллах ZnS и ZnSe
1920
Кустов В.Е., Ройцин А.Б., Трипачко Н.А., Шаховцов В.И.
Центры дилатации в облученном электронами кремнии
1928
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Свительский А.В., Семенова Г.Н.
Эффект дальнодействия в монокристаллах GaAs с различной плотностью дислокаций
1932
Выжигин Ю.В., Соболев Н.А., Грессеров Б.Н., Шек Е.И.
Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых p-n-структурах при термообработке
1938
Гуревич Ю.Г., Логвинов Г.Н.
Термоэдс и термоток монополярных полупроводников ограниченных размеров
1945
Гаджиалиев М.M., Мусаев А.М.
Магнитотермоэдс Mn
0.06
Hg
0.94
при одноосной деформации
1952
Румянцев С.Л.
Динамика включения Si и GaAs p-i-n-диодов
1955
Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б.
Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом n-кремнии
1962
Баранов А.Н., Белкин С.Ю., Данилова Т.Н., Ершов О.Г., Именков А.Н., Яковлев Ю.П.
Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
1971
Качурин Г.А., Гадияк Г.В., Шатров В.И., Тысченко И.Е.
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
1977
Бедный Б.И., Суслов Л.А., Байдусь Н.В., Карпович И.А.
Электронное состояние поверхности InP, модифицированной обработкой в парах серы
1983
Шегай О.А., Мошегов Н.Т., Палкин А.М., Торопов А.И.
Циклотронный резонанс в сверхрешетках (GaAs)
n
(InAs)
m
1986
Шегай О.А., Мошегов Н.Т., Палкин A.M., Торопов А.И.
Спектр состояний мелкого донора в сверхрешетках (GaAs)
n
(InAs)
m
1988
Козьмик И.Д., Нетяга В.В., Бахматюк Б.П., Григорчак И.И., Ковалюк 3.Д.
Некоторые закономерности и новые возможности интеркалированных халькогенидных полупроводников
1992
Исмайлов А.А., Гасымов Ш.Г., Мамедов Т.С., Аллахвердиев К.Р.
Влияние давления на электропроводность и эффект Холла селенида индия
1994
Магомедов М.А., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В.
Фотоэлектрические свойства диодов Шоттки In-p-CuInSe
2
1996
Краснов А.Н., Ваксман Ю.Ф., Пуртов Ю.Н.
Электрические свойства монокристаллов p-ZnSe
2000
Бокачева Л.С., Гальперин Ю.М.
Акустоэлектрический эффект в системах с локализованными состояниями в режиме моттовской проводимости
2002
Коршунов Ф.П., Маркевич В.П., Медведева И.Ф., Мурин Л.И.
Об акцепторных уровнях дивакансии в кремнии
2006
Бакуева Л.Г., Захарова И.Б., Ильин В.И., Мусихин С.Ф.
Влияние структуры и фазового состава на фотоэлектрические характеристики пленок Pb
1-x
Sn
x
S<Na>
2010
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук