Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 9 » Статья стр. 1194
<<<>>>
Природа электронной составляющей термического фазового перехода в пленках VO2
Ильинский А.В.1, Квашенкина О.Е.2, Шадрин Е.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
PDF версия
Методом построения полной сетки частных петель гистерезиса и ступенчатого нагрева и охлаждения пленок диоксида ванадия установлено, что термический фазовый переход полупроводник-металл в диоксиде ванадия является многостадийным процессом. Показано, что переход состоит из двух различных по своей природе переходов: электронного и структурного. Оба перехода протекают одновременно и взаимно инициируют друг друга в широком температурном интервале. А именно в интервале 0-140oC совершается непрерывный электронный переход, тогда как в интервале 20-80oC совершается серия скачкообразных структурных фазовых превращений в нанокристаллитах пленки при различных фиксированных температурах. Температуры структурных превращений связаны с размерами нанокристаллитов. Сконструирована принципиально новая форма элементарной петли гистерезиса индивидуального нанокристаллита. Проанализированы свойства частных петель гистерезиса отражательной способности пленки VO2, и на основе анализа выявлена и исследована электронная составляющая фазового перехода полупроводник-металл.
  1. Ю.А. Изюмов, Э.З. Курмаев. УФН, 178 (1), 25 (2008)
  2. M. Imada, A. Fujimori, Y. Tokura. Rev. Mod. Phys., 70, 1039 (1998)
  3. R.M. Wentzcovitch, W.W. Shulz, Ph.B. Allen. Phys. Rev. Lett., 72 (21), 3389 (1994)
  4. Н.А. Кулдин, А.А. Величко, Г.Б. Стефанович, А.Л. Пергамент, Д.Г. Стефанович. Соврем. наукоемкие технологии, N 2, 43 (2004)
  5. Zheng Yang, Changhyun Ko, VIswanath Balakrishnan, Gokul Gopalakrishnan, Shriram Ramanathan. Phys. Rev. B, 82, 205 101 (2010)
  6. Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор (М., Наука, 1979)
  7. W. Bruckner, H. Opperman, W. Reichelt, E.I. Terukov, F.A. Tschudnovskii. Vanadiumdioxide (Berlin, Akamemie-Verlag, 1983)
  8. А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход металл--полупроводник и его применение (Л., Наука, 1979)
  9. А.В. Ильинский, О.Е. Квашенкина, Е.Б. Шадрин. ФТТ, 45 (9), 1197 (2011)
  10. А.В. Ильинский, О.Е. Квашенкина, Е.Б. Шадрин. ФТП, 46 (4), 439 (2012)
  11. И.А. Хахаев, Ф.А. Чудновский, Е.Б. Шадрин. ФТТ, 36 (6), 1643 (1994)
  12. S. Shin, S. Suga, M. Taniguchi, M. Fujisawa, H. Kanzaki, A. Fujimori, H. Daimon, Y. Ueda, K. Kosuge, S. Kachi. Phys. Rev. B, 41, 4993 (1990)
  13. К. Хаускрофт, Э. Констебл. Современный курс общей химии (М., Мир, 2002)
  14. T.C. Koethe et al. Phys. Rev. Lett., 97, 116 402 (2006)
  15. W.W. Li, Q. Yu, J.R. Liang, K. Jiang, Z.C. Hu et al. Appl. Phys. Lett., 99, 241 903 (2011)
  16. О.П. Виноградова, А.И. Сидоров, В.А. Климов, Е.Б. Шадрин, А.В. Нащекин, С.Д. Ханин, В.Ю. Любимов. ФТТ, 50 (7), 1177 (2008)
  17. J. Wei, Z. Wang, W. Chen, D.H. Cobden. Nature Nanotechnology 4, 420 (2009)
  18. Hyun-Tak Kim, Byung-Gyu Chae, Doo-Hyeb Youn, Sung-Lyul Maeng, Gyungock Kim, Kwang-Yong Kang, Yong-Sik Lim. New J. Phys., 6, 52 (2004); Hyun-Tak Kim, Yong-Wook Lee, Bong-Jun Kim, Byung-Gyu Chae, Sun Jin Yun, Kwang-Yong Kang, Kang-Jeon Han, Ki-Ju Yee, Yong-Sik Lim. ArXiv:cond-mat/0608085 vl cond-mat.str-el 3 (2006)
  19. W.T. Liu, J. Cao, W. Fan, Z. Hao, M.C. Martin, Y.R. Shen, J. Wu, F. Wang. Nano Lett., 11, 466 (2011)
  20. A. Bianconi, S. Stizza, R. Bernardini. Phys. Rev., 24 (8), (1981)
  21. M. Gatti, F. Bruneval, V. Olevano, L. Reining. Phys. Rev. Lett., 99, 266 402 (2007)
  22. E. Caruthers, L. Kleimmann, H.I. Zhang. Phys. Rev. B, 7, 3753 (1973)
  23. У. Гофман. Руководство по неорганическому синтезу (М., Мир, 1985)
  24. С.В. Вонсовский, М.И. Кацнельсон. Квантовая физика твердого тела (М., Наука, 1983)
  25. J.K. Freekicks, T.P. Devereaux, R. Bulla. Phys. Rev. B, 64, 233 114 (2001)
  26. А.Л. Ройтбурд. УФН, 113, 69 (1974)
  27. Г.В. Курдюмов. Несовершенства кристаллического строения и мартенситные превращения (М., Наука, 1972)
  28. Р.А. Алиев, В.А. Климов. ФТТ, 46, 515 (2004)
  29. Е.Б. Шадрин, А.В. Ильинский, А.И. Сидоров, С.Д. Ханин. ФТТ, 52 (11), 2269 (2010)
  30. M. Gurvitch, S. Luryi, A. Polyakov, A. Shabalov. J. Appl. Phys., 106, 104 504 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme