Проанализированы результаты исследований удельной проводимости sigma и коэффициента Холла R в кристаллах Cd_xHg_1-xTe с x=0.1,0.12,0.14,0.15 в интервалах температур T=4.2-300 K и магнитных полей B=0.005-2.22 Тл. По данным R(B) в слабых и сильных магнитных полях и по данным sigma(T) определены концентрации и подвижности электронов и дырок. Показано, что в исследованных образцах в области 4.2-15 K концентрация электронов n от T почти не зависит, с повышением T она возрастает согласно n propto T^r (r>3/2), причем r=f(n,T,x). Получено, что r изменяется от 1.7 для x=0.1 до 3.1 в составах с x=0.14 и 0.15. Результаты по n(T) сопоставлены с теорией, учитывающей непараболичность закона дисперсии varepsilon(T), и с теорией примесных состояний в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках. Показано, что постоянство n(T) до ~15 K и сильная зависимость n(T) (r>3/2) при более высоких температурах обусловлены интенсивной ионизацией электронов, локализованных на акцепторных состояниях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.