Вышедшие номера
Эффект де Гааза-ван Альфена в наноструктурах фторида кадмия
Баграев Н.Т.1, Брилинская Е.С.2, Даниловский Э.Ю.1, Клячкин Л.Е.1, Маляренко А.М.1, Романов В.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

Измерения полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости демонстрируют осцилляции де Гааза-ван Альфена (дГвА) при высоких температурах и слабых магнитных полях в сандвич-наноструктурах, которые представляют собой сверхузкую квантовую яму CdF2 p-типа, ограниченную delta-барьерами, сильнолегированными бором на поверхности кристалла CdF2 n-типа. Температурные зависимости амплитуд осцилляций дГвА идентифицируют малое значение эффективной массы двумерных дырок, благодаря чему условие сильного поля, mu B>> 1, достигается при высоких температурах. Впервые регистрируется периодическое изменение частоты осцилляций дГвА, сопровождаемое диамагнитным откликом, с ростом температуры, которое проявляет синхронные температурные осцилляции плотности и эффективной массы двумерных дырок вследствие мезоскопических свойств delta-барьеров.