Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние перегрева p-n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
Приведена оценка тепловых ограничений в импульсном режиме работы двухдрейфового лавинно-пролетного диода 8-миллиметрового диапазона длин волн с мощностью генерации до 30-35 Вт. Показано, что при длительности рабочего импульса 300 нс и амплитуде тока питания 11.3-15 A перегрев p-n-перехода относительно окружающей среды составляет 270-430oC. Определена граничная температура перегрева перехода, равная 350oC, выше которой лавинно-пролетные диоды интенсивно деградируют. Приведены результаты рентгенофазового анализа и профили распределения компонентов в омических контактах Au-Pt-Ti-Pd-Si, подтверждающие тепловые ограничения в импульсном режиме работы лавинно-пролетного диода.
- А.С. Тагер, В.М. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды в технике СВЧ (М., Сов. радио, 1968) гл. 9 с. 374; гл. 7, с. 335
- А.К. Шухостанов. Лавинно-пролетные диоды. Физика, технология, применение (М., Радио и связь, 1997) гл. 7, с. 157
- Л.В. Касаткин, В.П. Рукин. Изв. вузов. Радиоэлектроника, 48 (6), 3 (2005)
- Л.В. Касаткин, В.Е. Чайка. Полупроводниковые устройства диапазона миллиметровых волн (Севастополь, Вебер, 2006) гл. 1, с. 32; гл. 2, с. 132
- G. Haddad, R. Trew. IEEE Trans. MTT-S, 50 (3), 760 (2002)
- H. Eisele, G. Haddad. IEEE Trans. МТТ, 46 (6), 739 (1998)
- В.Ф. Олейник, В.Л. Булгач, В.В. Валяев, А.В. Зоренко, Д.В. Миронов, В.Е. Чайка. Электронные приборы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов на основе нанотехнологии (Киев, ГНИКТ, 2004)
- В.В. Басанец, Н.С. Болтовец, А.В. Зоренко, А.В. Гуцул, Н.В. Колесник, С.И. Геращенко. Техника и приборы СВЧ, N 1, 27 (2009)
- Н.С. Давыдова, Ю.З. Данюшевский. Диодные генераторы и усилители СВЧ (М., Радио и связь, 1986) гл. 5, с. 143
- А.С. Тагер. Электрон. техн. Сер. 1. Электроника СВЧ, 5, 3 (1981)
- G. Gibbons. Sol. St. Electron., 13 (6), 799 (1970)
- Г. Карлслоу, Д. Егер. Теплопроводность твердых тел (М., ИЛ, 1964)
- Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991) с. 341
- http://www.quinstar.com
- М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. 1, с. 253
- http://www.microsemi.com
- Ш. Мьюрарка. Силициды для СБИС (М., Мир, 1989) гл. 2, с. 59. [Пер. с англ.: S.P. Murarka. Silicides for VLSI Application (Academic Press, N.Y.--London, 1983)]
- А.Е. Гершинский, А.В. Ржанов, Е.И. Черепов. Микроэлектроника, 11 (2), 86 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
