Вышедшие номера
Влияние перегрева p-n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
Беляев А.Е.1, Басанец В.В.2, Болтовец Н.С.2, Зоренко А.В.2, Капитанчук Л.М.3, Кладько В.П.1, Конакова Р.В.1, Колесник Н.В.2, Коростинская Т.В.2, Крицкая Т.В.2, Кудрик Я.Я.1, Кучук А.В.1, Миленин В.В.1, Атаубаева А.Б.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Приведена оценка тепловых ограничений в импульсном режиме работы двухдрейфового лавинно-пролетного диода 8-миллиметрового диапазона длин волн с мощностью генерации до 30-35 Вт. Показано, что при длительности рабочего импульса 300 нс и амплитуде тока питания 11.3-15 A перегрев p-n-перехода относительно окружающей среды составляет 270-430oC. Определена граничная температура перегрева перехода, равная 350oC, выше которой лавинно-пролетные диоды интенсивно деградируют. Приведены результаты рентгенофазового анализа и профили распределения компонентов в омических контактах Au-Pt-Ti-Pd-Si, подтверждающие тепловые ограничения в импульсном режиме работы лавинно-пролетного диода.