"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние перегрева p-n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
Беляев А.Е.1, Басанец В.В.2, Болтовец Н.С.2, Зоренко А.В.2, Капитанчук Л.М.3, Кладько В.П.1, Конакова Р.В.1, Колесник Н.В.2, Коростинская Т.В.2, Крицкая Т.В.2, Кудрик Я.Я.1, Кучук А.В.1, Миленин В.В.1, Атаубаева А.Б.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 21 января 2011 г.

Приведена оценка тепловых ограничений в импульсном режиме работы двухдрейфового лавинно-пролетного диода 8-миллиметрового диапазона длин волн с мощностью генерации до 30-35 Вт. Показано, что при длительности рабочего импульса 300 нс и амплитуде тока питания 11.3-15 A перегрев p-n-перехода относительно окружающей среды составляет 270-430oC. Определена граничная температура перегрева перехода, равная 350oC, выше которой лавинно-пролетные диоды интенсивно деградируют. Приведены результаты рентгенофазового анализа и профили распределения компонентов в омических контактах Au-Pt-Ti-Pd-Si, подтверждающие тепловые ограничения в импульсном режиме работы лавинно-пролетного диода.
  • А.С. Тагер, В.М. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды в технике СВЧ (М., Сов. радио, 1968) гл. 9 с. 374; гл. 7, с. 335
  • А.К. Шухостанов. Лавинно-пролетные диоды. Физика, технология, применение (М., Радио и связь, 1997) гл. 7, с. 157
  • Л.В. Касаткин, В.П. Рукин. Изв. вузов. Радиоэлектроника, 48 (6), 3 (2005)
  • Л.В. Касаткин, В.Е. Чайка. Полупроводниковые устройства диапазона миллиметровых волн (Севастополь, Вебер, 2006) гл. 1, с. 32; гл. 2, с. 132
  • G. Haddad, R. Trew. IEEE Trans. MTT-S, 50 (3), 760 (2002)
  • H. Eisele, G. Haddad. IEEE Trans. МТТ, 46 (6), 739 (1998)
  • В.Ф. Олейник, В.Л. Булгач, В.В. Валяев, А.В. Зоренко, Д.В. Миронов, В.Е. Чайка. Электронные приборы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов на основе нанотехнологии (Киев, ГНИКТ, 2004)
  • В.В. Басанец, Н.С. Болтовец, А.В. Зоренко, А.В. Гуцул, Н.В. Колесник, С.И. Геращенко. Техника и приборы СВЧ, N 1, 27 (2009)
  • Н.С. Давыдова, Ю.З. Данюшевский. Диодные генераторы и усилители СВЧ (М., Радио и связь, 1986) гл. 5, с. 143
  • А.С. Тагер. Электрон. техн. Сер. 1. Электроника СВЧ, 5, 3 (1981)
  • G. Gibbons. Sol. St. Electron., 13 (6), 799 (1970)
  • Г. Карлслоу, Д. Егер. Теплопроводность твердых тел (М., ИЛ, 1964)
  • Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991) с. 341
  • http://www.quinstar.com
  • М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. 1, с. 253
  • http://www.microsemi.com
  • Ш. Мьюрарка. Силициды для СБИС (М., Мир, 1989) гл. 2, с. 59. [Пер. с англ.: S.P. Murarka. Silicides for VLSI Application (Academic Press, N.Y.--London, 1983)]
  • А.Е. Гершинский, А.В. Ржанов, Е.И. Черепов. Микроэлектроника, 11 (2), 86 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.