Изучены температурные зависимости электропроводности sigma(T) и вольт-амперные характеристики одномерных монокристаллов TlGaTe₂, подвергнутных различным дозам gamma-облучения, в обеих геометриях эксперимента - по наноцепочкам, параллельным тетрагональной оси кристалла (sigma_||) и перпендикулярно им (sigma _normal ). Показано, что зависимость sigma(T), измеренная в омической области вольт-амперной характеристики, имеет прыжковый характер и описывается в приближении Мотта. Рассчитаны значения плотности локализованных состояний N_F, энергии активации E_a, длины прыжков R, разность между энергиями состояний Delta E вблизи уровня Ферми и концентрации глубоких ловушек N_t. Исследованы также вольт-амперные характеристики области более резкого роста тока. Показано, что эта область вольт-амперных характеристик описывается в рамках термополевого эффекта Пула-Френкеля. Определены значения концентрации ионизованных центров N_f, длина свободного пробега lambda, значения коэффициента Френкеля beta, форма потенциальной ямы в исходных и облученных (250 Мрад) кристаллах TlGaTe₂. Показано, что анизотропия проводимости изменяется при радиационном воздействии, приводящем к трансляционной упорядоченности наноцепочек.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.