Вышедшие номера
Рассеяние дырок гетерограницами GaAs/AlAs (111) и (110)
Караваев Г.Ф.1, Чернышов В.Н.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

На основе 18-зонной kp-модели проведен анализ волновых функций состояний валентной зоны. Найдено, что обычно используемое приближение не зависящих от энергии эффективных масс для зон легких и тяжелых дырок оправдано только вблизи вершины валентной зоны. Рассмотрены условия сшивания огибающих функций дырок на гетерограницах GaAs/AlAs с ориентациями (111) и (110) как с учетом, так и без учета спин-орбитального взаимодействия для энергий в окрестности вершины валентной зоны. Они получены в результате упрощения описания электронных состояний методом псевдопотенциала. Полученные условия сшивания полностью согласуются с симметрией задачи. В них присутствует смешивание огибающих функций с их нормальными производными и смешивание производных с функциями. Показано, что смешивание легких и тяжелых дырок на гетерогранице не имеет места для границы (111), но существует для границы (110). Найдено, что для гетерограницы (110) имеется заметно большее, чем для границы (001), резонансное смешивание состояний. PACS: 73.50.Dn, 73.40.Kp