Представлены результаты исследования влияния расположения и химического состава квантовых ям InGaAs в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs на оптические свойства квантовых точек InGaP(As), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора мышьяком в слое InGaP в процессе эпитаксиального роста. Показано, что длинноволновый сдвиг максимума фотолюминесценции массива квантовых точек наблюдается при использовании квантовой ямы InGaAs в качестве покрывающего слоя, однако, использование квантовой ямы InGaAs в качестве поверхности формирования квантовых точек InGaP(As) не приводит к сдвигу длины волны максимума фотолюминесценции. Увеличение мольной доли InAs в покрывающем слое InGaAs с 0.17 до 0.23 приводит к длинноволновому сдвигу максимума спектра фотолюминесценции массива квантовых точек на 108 нм. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, квантовые точки, гетероструктура, полупроводники.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.