Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пассивация поверхностей AlGaAs(100) растворами сульфида аммония
Лебедев М.В.
1, Львова Т.В.
1, Седова И.В.
1, Королева А.В.
2, Жижин Е.В.
2, Лебедев С.В.
2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: mleb@triat.ioffe.ru, aleksandra.koroleva@spbu.ru, evgeniy.zhizhin@spbu.ru, s.v.lebedev@spbu.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 15 июля 2024 г.
Принята к печати: 29 августа 2024 г.
Выставление онлайн: 8 октября 2024 г.
Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовалось взаимодействие покрытых слоем естественного окисла поверхностей Al0.3Ga0.7As(100) с различными растворами сульфида аммония. Показано, что наиболее эффективное удаление слоя естественного окисла и химическая пассивация достигаются при обработке поверхности разбавленным водным раствором сульфида аммония с концентрацией ~4%, приготовленным из так называемого естественно "состаренного" коммерческого раствора. Обработанная поверхность содержит небольшое количество элементарного мышьяка и остаточных оксидов галлия и алюминия и покрыта пассивирующим слоем сульфидов мышьяка. В процессе обработки раствором той же концентрации, но приготовленным из "свежего" сульфида аммония, атомы серы практически не адсорбируются на поверхности полупроводника и формирования сульфидов мышьяка не происходит. Показано, что в результате взаимодействия как концентрированного (~44%) "состаренного" водного раствора сульфида аммония, так и ~4% раствора "состаренного" сульфида аммония в изопропиловом спирте происходит нарушение стехиометрии приповерхностной области твердого раствора за счет вымывания атомов галлия с поверхности, в результате чего происходит образование сравнительно толстого слоя оксида алюминия. Ключевые слова: AlGaAs, сульфидная пассивация, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.
- R.W. Lambert, T. Ayling, A.F. Hendry, J.M. Carson, D.A. Barrow, S. McHendry, C.J. Scott, A. McKee, W. Meredith. J. Lightwave Technol., 24, 956 (2006)
- S. Koseki, B. Zhang, K. De Greve, Y. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 94, 051110 (2009)
- I.E. Cortes-Mestizo, L.I. Espinosa-Vega, J.A. Espinoza-Figueroa, A. Cisneros-de-la-Rosa, E. Eugenio-Lopez, V.H. Mendez-Garcia, E. Briones, J. Briones, L. Zamora-Peredo, R. Droopad, C. Yee-Rendon. J. Vac. Sci. Technol. B, 34, 02L110 (2016)
- G. Mariani, P.-S. Wong, A.M. Katzenmeyer, F. Leonard, J. Shapiro, D.L. Huffaker. Nano Lett., 11, 2490 (2011)
- L. Shen, E.Y.B. Pun, J.C. Ho. Mater. Chem. Front., 1, 630 (2017)
- E. Barrigon, M. Heurlin, Z. Bi, B. Monemar, L. Samuelson. Chem. Rev., 119, 9170 (2019)
- A.K. Saxena. J. Phys. C: Solid State Phys., 13, 4323 (1980)
- Y. Sun, P. Pianetta, P.-T. Chen, M. Kobayashi, Y. Nishi, N. Goel, M. Garner, W. Tsai. Appl. Phys. Lett., 93, 194103 (2008)
- A. Nainani, Y. Sun, T. Irisawa, Z. Yuan, M. Kobayashi, P. Pianetta, B.R. Bennet, J.B. Boos, K.C. Saraswat. J. Appl. Phys., 109, 114908 (2011)
- F.S. Aguirre-Tostado, M. Milojevic, C.L. Hinkle, E.M. Vogel, R.M. Wallace, S. McDonnel, C.J. Hughes. Appl. Phys. Lett., 92, 171906 (2008)
- M.V. Lebedev, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, W. Calwet, B. Kaiser, W. Jaegermann. Mater. Sci. Semicond. Process., 51, 81-88 (2016)
- М.В. Лебедев. ФТП, 54, 587 (2020)
- H. Oigawa, J.-F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L322 (1991)
- V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, G.A. Shakiashvili, V.P. Ulin, D. Paget. Appl. Phys. Lett., 63, 970 (1993)
- M.V. Lebedev, T.V. Lvova, I.V. Sedova, Yu.M. Serov, S.V. Sorokin, A.V. Koroleva, E.V. Zhizhin, S.V. Lebedev. Mater. Sci. Semicond. Process., 181, 108604 (2024)
- N.M. Andrade, S. Hooten, Y. Kim, J. Kim, E. Yablonovitch, M.C. Wu. Appl. Phys. Lett., 119, 191102 (2021)
- M.V. Lebedev, T. Mayer, W. Jaegermann. Surf. Sci., 547, 171 (2003)
- A. Jablonski, J. Zemek. Surf. Interface Anal., 41, 19 (2009)
- S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn. Surf. Interface Anal., 17, 927 (1991)
- C.J. Powell, A. Jablonski. NIST Electron Inelastic-Mean-Free-Path Database --- Version 1.2 (National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD, 2010)
- M.V. Lebedev, W. Calvet, T. Mayer, W. Jaegermann. J. Phys. Chem. C, 118, 12774 (2014)
- C. Bryce, D. Berk. Ind. Eng. Chem. Res., 35, 4464 (1996)
- J.J. Yeh, I. Lindau. Atomic Data Nucl. Data Tables, 32, 1 (1985)
- M. Petitjean, N. Proust, J.-F. Chapeaublanc. J. Perrin, Sens. Actuators A, 33, 33 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
