Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 8 » Статья стр. 663
<<<>>>
Люминесценция в p-i-n-структурах с компенсированными квантовыми ямами
Российский научный фонд, 22-22-00103
Адамов Р.Б.1, Мелентьев Г.А.1, Подоскин А.А.2, Кондратов М.И.2, Гришин А.Е.2, Слипченко С.О.2, Седова И.В.2, Сорокин С.В.2, Климко Г.В.2, Махов И.С.3, Фирсов Д.А.1, Шалыгин В.А.1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
Email: shalygin@rphf.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 26 ноября 2023 г.
Принята к печати: 29 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
PDF версия
Исследованы фото- и электролюминесценция в p-i-n-структурах с компенсированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs с различными профилями легирования: с пространственным разделением доноров и акцепторов (доноры локализованы в квантовых ямах, акцепторы - в барьерах) и без него (и доноры, и акцепторы локализованы в квантовых ямах). Изучались спектральные характеристики люминесценции в ближнем ИК диапазоне при гелиевых температурах. Выявлены линии излучательной рекомбинации донор-основная подзона тяжелых дырок (D-hh1) и основная подзона  электронов-акцептор (e1-A). В спектрах электролюминесценции при больших токах накачки наблюдалась лазерная генерация на указанных переходах. Установлено, что интегральная интенсивность лазерного излучения на переходах D-hh1 в структуре без пространственного разделения доноров и акцепторов была в 5 раз больше, чем в структуре с пространственным разделением. Именно эти переходы обеспечивают эффективное опустошение донорных уровней, что актуально для эмиссии терагерцового излучения на переходах e1-D. Результаты работы могут быть использованы при разработке терагерцовых эмиттеров с электрической накачкой. Ключевые слова: квантовые ямы, p-i-n-структуры, GaAs, AlAs, фотолюминесценция, электролюминесценция, ближний инфракрасный диапазон.
  1. M. Tonouchi. Nature Photonics, 1 (2), 97 (2007). https://doi.org/10.1038/nphoton.2007.3
  2. D.M. Mittleman. J. Appl. Phys., 122 (23), 230901 (2017). https://doi.org/10.1063/1.5007683
  3. A. Khalatpour, A.K. Paulsen, C. Deimert, Z.R. Wasilewski, Q. Hu. Nature Photonics, 15 (1), 16 (2021). https://doi.org/10.1038/s41566-020-00707-5
  4. A. Khalatpour, M.C. Tam, S.J. Addamane, J. Reno, Z. Wasilewski, Q. Hu. Appl. Phys. Lett., 122 (16), 161101 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0144705
  5. A.V. Andrianov, J.P. Gupta, J. Kolodzey, V.I. Sankin, A.O. Zakhar'in, Yu.B. Vasil'ev. Appl. Phys. Lett., 103 (22), 221101 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4832824
  6. А.О. Захарьин, Ю.Б. Васильев, Н.А. Соболев, В.В. Забродский, С.В. Егоров, А.В. Андрианов. ФТП, 51 (5), 632 (2017). http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44420.8432
  7. S.M. Li, W.M. Zheng, A.L. Wu, W.Y. Cong, J. Liu, N.N. Chu, Y.X. Song. Appl. Phys. Lett., 97 (2), 023507 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3463467
  8. I.S. Makhov, V.Yu. Panevin, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, G.V. Klimko. J. Appl. Phys., 126 (17), 175702 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5121835
  9. Р.Б. Адамов, А.Д. Петрук, Г.А. Мелентьев, И.В. Седова, С.В. Сорокин, И.С. Махов, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. НТВ СПбГПУ. Физ.-мат. науки, 15 (4), 32 (2022). https://doi.org/10.18721/JPM.15402
  10. R.B. Adamov, G.A. Melentev, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, G.V. Klimko, I.S. Makhov, D.A. Firsov, V.A. Shalygin. J. Luminesc., 266, 120302 (2024). https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2023.120302
  11. D. Olego, M. Cardona. Phys. Rev. B, 22 (2), 886 (1980). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.22.886
  12. M.S. Feng, C.S. Ares Fang, H.D. Chen. Mater. Chem. Phys., 42 (2), 143 (1995). https://doi.org/10.1016/0254-0584(95)01566-3
  13. S.V. Poltavtsev, R.I. Dzhioev, V.L. Korenev, I.A. Akimov, D. Kudlacik, D.R. Yakovlev, M. Bayer. Phys. Rev. B, 102 (1), 014204 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.014204
  14. G. Bastard. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Ulis, Les Editions de Physique, 1988)
  15. А.Е. Жуков, Н.Ю. Гордеев, Ю.М. Шерняков, А.С. Паюсов, А.А. Серин, М.М. Кулагина, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.В. Максимов. Письма ЖТФ, 44 (15), 46 (2018). http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2018.15.46439.17345
  16. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Ф.Ю. Солдатенков, Р.В. Левин, Р.А. Салий, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.Р. Ларионов, В.М. Андреев. ЖТФ, 93 (1), 170 (2023). http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2023.01.54078.166-22
  17. K.-K. Choi, B.F. Levine, C.G. Bethea, J. Walker, R.J. Malik. Appl. Phys. Lett., 50 (25), 1814 (1987). https://doi.org/10.1063/1.97706
  18. G. Bastard, J.A. Brum, R. Ferreira. Solid State Phys., 44, 229 (1991). https://doi.org/10.1016/S0081-1947(08)60092-2
  19. А.А. Подоскин, Д.Н. Романович, И.С. Шашкин, П.С. Гаврина, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин. ФТП, 53 (6), 839 (2019). http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47739.9058a
  20. А.А. Подоскин, Д.Н. Романович, И.С. Шашкин, П.С. Гаврина, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин. ФТП, 54 (5), 484 (2020). http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49266.9343

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme