Исследовано влияние одноосного давления до 8 кбар вдоль кристаллографических направлений [111] и [001] на спектры и поляризацию широкой полосы фотолюминесценции с максимумом при энергии фотонов 1.2 эВ в n-GaAs : S, связываемой с захватом электронов на комплекс V_GaS_As. Зависимости поляризации излучения в полосе от энергии фотонов и температуры свидетельствуют о том, что исходно тригональная симметрия комплекса понижена и может быть моноклинной с плоскостью симметрии 011. При этом дисторсии комплекса не переориентируются, а ось его излучающего оптического диполя примерно одинаково отклонена от направлений <111> и <001>, лежащих в плоскости симметрии. Выделение расщепившихся при одноосном давлении компонент полосы фотолюминесценции, основанное на использовании закономерностей пьезоспектроскопического поведения излучения анизотропных центров, подтверждает предлагаемую модель комплекса и показывает, что вклад ротатора в его излучение мал. Результаты сопоставляются с данными для аналогичного комплекса V_GaTe_As и свидетельствуют о существенном изменении свойств комплексов вакансия-мелкий донор при замене одного донора VI группы другим.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.