Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 0791-2020-0003
European Research Council, the European Union’s Horizon 2020 research and innovation programme, 101003378
Санкт-Петербургского государственного университет, исследовательский грант, 92591131
Резник Р.Р.1, Гридчин В.О.1,2,3, Котляр К.П.1,2,3, Хребтов А.И.2, Убыйвовк Е.В.1, Микушев С.В.1, Li D.4, Radhakrishnan R.4, Neto J.F.4, Akopian N.4, Цырлин Г.Э.1,2,3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4DTU Fotonik, Kongens Lyngby, Denmark
Email: moment92@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.
Представлены результаты экспериментальных исследований синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии AlGaAs-нитевидных нанокристаллов с InGaAs-квантовыми точками. Показано, что, как и в случае системы материалов InP/InAsP, в теле нитевидного нанокристалла наблюдается формирование преимущественно двух объектов: InGaAs-квантовой точки вследствие аксиального роста и InGaAs-квантовой ямы вследствие радиального роста. Важно отметить, что выращенные наноструктуры сформировались преимущественно в вюрцитной кристаллографической фазе. Результаты исследований физических свойств выращенных наноструктур указывают на их перспективность для продвижения однофотонных источников в длинноволновую область. Предлагаемая технология открывает новые возможности для интеграции прямозонных III-V материалов с кремниевой платформой для различных приложений в области фотоники и квантовой связи. Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, соединения III-V, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия.
- M. Karimi, V. Jain, M. Heurlin, A. Nowzari, L. Hussain, D. Lindgren, J.E. Stehr, I.A. Buyanova, A. Gustafsson, L. Samuelson. Nano Lett., 17 (6), 3356 (2017)
- J.K. Hyun, S. Zhang, L.J. Lauhon. Ann. Rev. Mater. Sci., 43, 451 (2013)
- K.W. Ng, W.S. Ko, T.-T.D. Tran, R. Chen, M.V. Nazarenko, F. Lu, V.G. Dubrovskii, M. Kamp, A. Forchel, C.J. Chang-Hasnain. ACS Nano, 7 (1), 100 (2013)
- M. Heiss, Y. Fontana, A. Gustafsson, G. Wust, C. Magen, D.D. O'regan, J.W. Luo, B. Ketterer, S. Conesa-Boj, A.V. Kuhlmann, J. Houel, E. Russo-Averchi, J.R. Morante, M. Cantoni, N. Marzari, J. Arbiol, A. Zunger, R.J. Warburton, A. Fontcuberta I Morral. Nature Materials, 12 (5), 439 (2013)
- K.S. Leschkies, R. Divakar, J. Basu, E. Enache-Pommer, J.E. Boercker, C.B. Carter, U.R. Kortshagen, D.J. Norris, E.S. Aydil. Nano Lett., 7 (6), 1793 (2007)
- A.V. Akimov, A. Mukherjee, C.L. Yu, D.E. Chang, A.S. Zibrov, P.R. Hemmer, H. Park, M.D. Lukin. Nature, 450 (7168), 402 (2007)
- M.T. Borgstrom, V. Zwiller, E. Muller, A. Imamoglu. Nano Lett., 5 (7), 1439 (2005)
- R.R. Reznik, G.E. Cirlin, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, A.E. Zhukov. Techn. Phys. Lett., 44 (2), 112 (2018)
- V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68 (7), 075409 (2003)
- L. Leandro, R. Reznik, J.D. Clement, J. Repan, M. Reynolds, E.V. Ubyivovk, I.V. Shtrom, G. Cirlin, N. Akopian. Sci. Rep., 10 (1), 1 (2020)
- G.E. Cirlin, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Y.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov. Semiconductors, 50 (11), 1421 (2016)
- G.E. Cirlin, R.R. Reznik, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin, L. Leandro, T. Kasama, N. Akopian. J. Phys. D, 50 (48), 484003 (2017)
- L. Leandro, C.P. Gunnarsson, R. Reznik, K.D. Jons, I. Shtrom, A. Khrebtov, T. Kasama, V. Zwiller, G. Cirlin, N. Akopian. Nano Lett., 18 (11), 7217 (2018)
- L. Leandro, J. Hastrup, R. Reznik, G. Cirlin, N. Akopian. NPJ Quant. Inf., 6 (1), 1 (2020)
- R.R. Reznik, K.M. Morozov, I.L. Krestnikov, K.P. Kotlyar, I.P. Soshnikov, L. Leandro, N. Akopian, G.E. Cirlin. Techn. Phys. Lett., 1 (2021)
- M. Heiss, B. Ketterer, E. Uccelli, J.R. Morante, J. Arbiol, A.F. i Morral. Nanotechnology, 22 (19), 195601 (2011)
- J. Tatebayashi, S. Kako, J. Ho, Y. Ota, S. Iwamoto, Y. Arakawa. J. Cryst. Growth, 468, 144 (2017)
- J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 105 (10), 103104 (2014)
- M.N. Makhonin, A.P. Foster, A.B. Krysa, P.W. Fry, D.G. Davies, T. Grange, T. Walther, M.S. Skolnick, L.R. Wilson. Nano Lett., 13 (3), 861 (2013)
- C.T. Huang, J.H. Song, C.M. Tsai, W.F. Lee, D.H. Lien, Z.Y. Gao, Y. Hao, L.J. Chen, Z.L. Wang. Adv. Mater., 36, 4008 (2010)
- N. Gogneau, N. Jamond, P. Chretien, F. Houze, E. Lefeuvre, M. Tchernycheva. Semicond. Sci. Technol., 31 (10), 103002 (2016)
- P.A. Alekseev, V.A. Sharov, P. Geydt, M.S. Dunaevskiy, V.V. Lysak, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, E. Lahderanta. Phys. Status Solidi: Rapid Res Lett., 12 (1), 1700358 (2018)
- A. Kuznetsov, P. Roy, V.M. Kondratev, V.V. Fedorov, K.P. Kotlyar, R.R. Reznik, A.V. Vorobyev, I.S. Mukhin, G.E. Cirlin, A.D. Bolshakov. Nanomaterials, 12 (2), 241 (2022)
- R.R. Reznik, G.E. Cirlin, K.P. Kotlyar, I.V. Ilkiv, N. Akopian, L. Leandro, V.V. Nikolaev, A.V. Belonovski, M.A. Kaliteevski. Nanomaterials, 11 (11), 2894 (2021)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
