Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии

DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52761.16

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.07.54653.16

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 0791-2020-0003

European Research Council, the European Union’s Horizon 2020 research and innovation programme, 101003378

Санкт-Петербургского государственного университет, исследовательский грант, 92591131

Резник Р.Р.¹, Гридчин В.О.^1,2,3, Котляр К.П.^1,2,3, Хребтов А.И.², Убыйвовк Е.В.¹, Микушев С.В.¹, Li D.⁴, Radhakrishnan R.⁴, Neto J.F.⁴, Akopian N.⁴, Цырлин Г.Э.^1,2,3

¹Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

⁴DTU Fotonik, Kongens Lyngby, Denmark

Email: moment92@mail.ru

Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.

В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.

Принята к печати: 25 марта 2022 г.

Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты экспериментальных исследований синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии AlGaAs-нитевидных нанокристаллов с InGaAs-квантовыми точками. Показано, что, как и в случае системы материалов InP/InAsP, в теле нитевидного нанокристалла наблюдается формирование преимущественно двух объектов: InGaAs-квантовой точки вследствие аксиального роста и InGaAs-квантовой ямы вследствие радиального роста. Важно отметить, что выращенные наноструктуры сформировались преимущественно в вюрцитной кристаллографической фазе. Результаты исследований физических свойств выращенных наноструктур указывают на их перспективность для продвижения однофотонных источников в длинноволновую область. Предлагаемая технология открывает новые возможности для интеграции прямозонных III-V материалов с кремниевой платформой для различных приложений в области фотоники и квантовой связи. Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, соединения III-V, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия.

M. Karimi, V. Jain, M. Heurlin, A. Nowzari, L. Hussain, D. Lindgren, J.E. Stehr, I.A. Buyanova, A. Gustafsson, L. Samuelson. Nano Lett., 17 (6), 3356 (2017)
J.K. Hyun, S. Zhang, L.J. Lauhon. Ann. Rev. Mater. Sci., 43, 451 (2013)
K.W. Ng, W.S. Ko, T.-T.D. Tran, R. Chen, M.V. Nazarenko, F. Lu, V.G. Dubrovskii, M. Kamp, A. Forchel, C.J. Chang-Hasnain. ACS Nano, 7 (1), 100 (2013)
M. Heiss, Y. Fontana, A. Gustafsson, G. Wust, C. Magen, D.D. O'regan, J.W. Luo, B. Ketterer, S. Conesa-Boj, A.V. Kuhlmann, J. Houel, E. Russo-Averchi, J.R. Morante, M. Cantoni, N. Marzari, J. Arbiol, A. Zunger, R.J. Warburton, A. Fontcuberta I Morral. Nature Materials, 12 (5), 439 (2013)
K.S. Leschkies, R. Divakar, J. Basu, E. Enache-Pommer, J.E. Boercker, C.B. Carter, U.R. Kortshagen, D.J. Norris, E.S. Aydil. Nano Lett., 7 (6), 1793 (2007)
A.V. Akimov, A. Mukherjee, C.L. Yu, D.E. Chang, A.S. Zibrov, P.R. Hemmer, H. Park, M.D. Lukin. Nature, 450 (7168), 402 (2007)
M.T. Borgstrom, V. Zwiller, E. Muller, A. Imamoglu. Nano Lett., 5 (7), 1439 (2005)
R.R. Reznik, G.E. Cirlin, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, A.E. Zhukov. Techn. Phys. Lett., 44 (2), 112 (2018)
V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68 (7), 075409 (2003)
L. Leandro, R. Reznik, J.D. Clement, J. Repan, M. Reynolds, E.V. Ubyivovk, I.V. Shtrom, G. Cirlin, N. Akopian. Sci. Rep., 10 (1), 1 (2020)
G.E. Cirlin, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Y.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov. Semiconductors, 50 (11), 1421 (2016)
G.E. Cirlin, R.R. Reznik, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin, L. Leandro, T. Kasama, N. Akopian. J. Phys. D, 50 (48), 484003 (2017)
L. Leandro, C.P. Gunnarsson, R. Reznik, K.D. Jons, I. Shtrom, A. Khrebtov, T. Kasama, V. Zwiller, G. Cirlin, N. Akopian. Nano Lett., 18 (11), 7217 (2018)
L. Leandro, J. Hastrup, R. Reznik, G. Cirlin, N. Akopian. NPJ Quant. Inf., 6 (1), 1 (2020)
R.R. Reznik, K.M. Morozov, I.L. Krestnikov, K.P. Kotlyar, I.P. Soshnikov, L. Leandro, N. Akopian, G.E. Cirlin. Techn. Phys. Lett., 1 (2021)
M. Heiss, B. Ketterer, E. Uccelli, J.R. Morante, J. Arbiol, A.F. i Morral. Nanotechnology, 22 (19), 195601 (2011)
J. Tatebayashi, S. Kako, J. Ho, Y. Ota, S. Iwamoto, Y. Arakawa. J. Cryst. Growth, 468, 144 (2017)
J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 105 (10), 103104 (2014)
M.N. Makhonin, A.P. Foster, A.B. Krysa, P.W. Fry, D.G. Davies, T. Grange, T. Walther, M.S. Skolnick, L.R. Wilson. Nano Lett., 13 (3), 861 (2013)
C.T. Huang, J.H. Song, C.M. Tsai, W.F. Lee, D.H. Lien, Z.Y. Gao, Y. Hao, L.J. Chen, Z.L. Wang. Adv. Mater., 36, 4008 (2010)
N. Gogneau, N. Jamond, P. Chretien, F. Houze, E. Lefeuvre, M. Tchernycheva. Semicond. Sci. Technol., 31 (10), 103002 (2016)
P.A. Alekseev, V.A. Sharov, P. Geydt, M.S. Dunaevskiy, V.V. Lysak, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, E. Lahderanta. Phys. Status Solidi: Rapid Res Lett., 12 (1), 1700358 (2018)
A. Kuznetsov, P. Roy, V.M. Kondratev, V.V. Fedorov, K.P. Kotlyar, R.R. Reznik, A.V. Vorobyev, I.S. Mukhin, G.E. Cirlin, A.D. Bolshakov. Nanomaterials, 12 (2), 241 (2022)
R.R. Reznik, G.E. Cirlin, K.P. Kotlyar, I.V. Ilkiv, N. Akopian, L. Leandro, V.V. Nikolaev, A.V. Belonovski, M.A. Kaliteevski. Nanomaterials, 11 (11), 2894 (2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель