Вышедшие номера
Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.07.54653.16
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 0791-2020-0003
European Research Council, the European Union’s Horizon 2020 research and innovation programme, 101003378
Санкт-Петербургского государственного университет, исследовательский грант, 92591131
Резник Р.Р.1, Гридчин В.О.1,2,3, Котляр К.П.1,2,3, Хребтов А.И.2, Убыйвовк Е.В.1, Микушев С.В.1, Li D.4, Radhakrishnan R.4, Neto J.F.4, Akopian N.4, Цырлин Г.Э.1,2,3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4DTU Fotonik, Kongens Lyngby, Denmark
Email: moment92@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии AlGaAs-нитевидных нанокристаллов с InGaAs-квантовыми точками. Показано, что, как и в случае системы материалов InP/InAsP, в теле нитевидного нанокристалла наблюдается формирование преимущественно двух объектов: InGaAs-квантовой точки вследствие аксиального роста и InGaAs-квантовой ямы вследствие радиального роста. Важно отметить, что выращенные наноструктуры сформировались преимущественно в вюрцитной кристаллографической фазе. Результаты исследований физических свойств выращенных наноструктур указывают на их перспективность для продвижения однофотонных источников в длинноволновую область. Предлагаемая технология открывает новые возможности для интеграции прямозонных III-V материалов с кремниевой платформой для различных приложений в области фотоники и квантовой связи. Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, соединения III-V, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия.