Вышедшие номера
Переход от экспоненциального к линейному возрастанию плотности энергии спектральной компоненты пикосекундного стимулированного излучения GaAs при насыщении усиления
Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Забегаев Д.Н.1, Кривоносов А.Н.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: bil@cplire.ru
Поступила в редакцию: 1 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 25 декабря 2021 г.
Принята к печати: 27 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 27 января 2022 г.

В начале мощной оптической пикосекундной накачки слоя GaAs гетероструктуры AlxGa1-xAs-GaAs-AlxGa1-xAs в нем возникает стимулированное пикосекундное излучение. Возрастание со временем плотности энергии каждой спектральной компоненты излучения в ее активной среде происходит экспоненциально до насыщения усиления, далее возрастание линейное. В настоящей работе экспериментально определено, в зависимости от каких параметров спектральной компоненты излучения и по какому закону меняется: (а) время (отсчитываемое от начала стимулированного излучения), через которое происходит переход от экспоненциального возрастания к линейному; (б) плотность энергии компоненты в "момент" перехода; (в) коэффициент усиления на этапе линейного возрастания плотности энергии. В Заключении суммируются явления при насыщении усиления, обнаруженные в наших работах. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, характерное время релаксации излучения, насыщение усиления, энергетический транспорт носителей заряда, скорость вынужденной рекомбинации.
  1. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 55, 434 (2021)
  2. L.W. Casperson. J. Appl. Phys., 48, 256, (1977)
  3. В.Д. Соловьев. Физика лазеров. Текст лекций (4-й курс). http://elib.spbstu.ru/dl/2313.pdf/download/2313.pdf
  4. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 53, 1471 (2019)
  5. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 56 (3), 307 (2022)
  6. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 143, 634 (2013)
  7. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 54, 1018 (2020)
  8. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
  9. Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Физматлит, 2003)
  10. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  11. О. Звелто. Принципы лазеров (СПб., Лань, 2008)
  12. Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
  13. С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
  14. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.