В начале мощной оптической пикосекундной накачки слоя GaAs гетероструктуры Al_xGa_1-xAs-GaAs-Al_xGa_1-xAs в нем возникает стимулированное пикосекундное излучение. Возрастание со временем плотности энергии каждой спектральной компоненты излучения в ее активной среде происходит экспоненциально до насыщения усиления, далее возрастание линейное. В настоящей работе экспериментально определено, в зависимости от каких параметров спектральной компоненты излучения и по какому закону меняется: (а) время (отсчитываемое от начала стимулированного излучения), через которое происходит переход от экспоненциального возрастания к линейному; (б) плотность энергии компоненты в "момент" перехода; (в) коэффициент усиления на этапе линейного возрастания плотности энергии. В Заключении суммируются явления при насыщении усиления, обнаруженные в наших работах. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, характерное время релаксации излучения, насыщение усиления, энергетический транспорт носителей заряда, скорость вынужденной рекомбинации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.