Вышедшие номера
Функциональные зависимости максимальной плотности энергии спектральной компоненты стимулированного пикосекундного излучения GaAs при насыщении усиления. Остаточное характерное время релаксации излучения
Агеева Н.Н. 1, Броневой И.Л. 1, Забегаев Д.Н.1, Кривоносов А.Н. 1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: ann@cplire.ru, bil@cplire.ru
Поступила в редакцию: 14 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 22 ноября 2021 г.
Принята к печати: 26 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

Во время мощной оптической пикосекундной накачки слоя GaAs гетероструктуры AlxGa1-xAs-GaAs- AlxGa1-xAs в нем возникает стимулированное пикосекундное излучение. Экспериментально выявлено, как при насыщении усиления излучения максимальная плотность энергии его спектральной компоненты и время достижения этого максимума зависят от энергии фотона, параметров усиления и релаксации компоненты. Из этих зависимостей следует, что на указанные плотность и время влияет замедление транспорта неравновесных носителей в энергетическом пространстве. Замедление вызвано взаимодействием носителей с излучением. Установлено, что при приближении к нулю диаметра активной области измеренное характерное время релаксации компоненты стремится к теоретическому универсальному остаточному времени релаксации, затянутому из-за указанного замедления транспорта. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, коэффициент усиления, характерное время релаксации излучения, насыщение усиления, энергетический транспорт носителей заряда.