Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Функциональные зависимости максимальной плотности энергии спектральной компоненты стимулированного пикосекундного излучения GaAs при насыщении усиления. Остаточное характерное время релаксации излучения
Агеева Н.Н.
1, Броневой И.Л.
1, Забегаев Д.Н.1, Кривоносов А.Н.
1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия 
Email: ann@cplire.ru, bil@cplire.ru
Поступила в редакцию: 14 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 22 ноября 2021 г.
Принята к печати: 26 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.
Во время мощной оптической пикосекундной накачки слоя GaAs гетероструктуры AlxGa1-xAs-GaAs- AlxGa1-xAs в нем возникает стимулированное пикосекундное излучение. Экспериментально выявлено, как при насыщении усиления излучения максимальная плотность энергии его спектральной компоненты и время достижения этого максимума зависят от энергии фотона, параметров усиления и релаксации компоненты. Из этих зависимостей следует, что на указанные плотность и время влияет замедление транспорта неравновесных носителей в энергетическом пространстве. Замедление вызвано взаимодействием носителей с излучением. Установлено, что при приближении к нулю диаметра активной области измеренное характерное время релаксации компоненты стремится к теоретическому универсальному остаточному времени релаксации, затянутому из-за указанного замедления транспорта. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, коэффициент усиления, характерное время релаксации излучения, насыщение усиления, энергетический транспорт носителей заряда.
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 55, 113 (2021)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 54, 1018 (2020)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. Радиотехника и электроника, 63, 1130 (2018)
- D. Hulin, M. Joffre, A. Migus, J.L. Oudar, J. Dubard, F. Alexandre. J. de Physique, 48, 267 (1987)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 53, 1471 (2019)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 55, 121 (2021)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 144, 227 (2013)
- L.W. Casperson. J. Appl. Phys., 48, 256 (1977)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 55, 434 (2021)
- Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
- С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
- J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
- Л.И. Глазман. ФТП, 17, 790 (1983)
- О. Звелто. Принципы лазеров (СПб., Лань, 2008)
- В.Д. Соловьев. Физика лазеров. Текст лекций (4-й курс). http://elib.spbstu.ru/dl/2313.pdf/download/2313.pdf
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 54, 25 (2020)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 143, 634 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
