"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Александр Александрович Орликовский (к 75-летию со дня рождения) [3mm]
Выставление онлайн: 20 ноября 2013 г.

12 июня 2013 года исполнилось 75 лет академику Российской академии наук (РАН) Александру Александровичу Орликовскому. Александр Александрович родился в Москве, окончил Московский инженерно-физический институт, доктор технических наук (1982 г.), профессор (1984 г.). С 1961 по 1963 гг. работал в Союзном научно-исследовательском институте приборостроения. В 1963-1966 гг. обучался в аспирантуре Московского института электронного машиностроения. Работал над диссертацией в НИИ "Пульсар". После защиты кандидатской диссертации работал старшим преподавателем, доцентом Московского института электронной техники. С 1981 г. работал старшим научным сотрудником сектора микроэлектроники Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР, с 1985 г. --- заведующим лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов Института общей физики АН, а с 1988 г. --- Физико-технологического института, с 2001 г. --- заместителем директора по научной работе, а с 2005 г. --- директором Физико-технологического института РАН. Академик А. А. Орликовский является одним из основоположников научных исследований в области физических основ технологии и элементной базы кремниевой микро- и наноэлектроники в нашей стране. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области. Под его руководством созданы основы новых технологий металлизации, плазменных процессов травления, осаждения и имплантации, выполнен цикл исследований эпитаксии арсенида галлия на кремнии и создана технология тонких буферных слоев арсенида галлия на кремнии с низкой плотностью дислокаций, разработаны методы мониторинга плазменных процессов, высокочувствительные детекторы, томограф низкотемпературной плазмы, оригинальные конструкции широкоапертурных источников плотной плазмы и полностью автоматизированные плазмохимические установки травления, осаждения и плазмо-иммерсионной ионной имплантации на их основе. Успешно развиваются теоретические и экспериментальные исследования с целью создания твердотельных квантовых компьютеров и транзисторов с длиной канала порядка 10 нм, в том числе построена модель и рассчитаны вольт-амперные характеристики полевого транзистора с графеновым каналом, предложены оригинальные конструкции туннельного транзистора с графеновым каналом и туннельного транзистора с барьерами Шоттки для СБИС с ультранизкой потребляемой мощностью. [!t] А. А. Орликовский был избран членом-корреспондентом РАН в 2000 г., а в 2006 г. --- действительным членом РАН. Он является автором и соавтором свыше 350 научных трудов, в том числе 2 монографий, и учебных пособий, патентов на изобретения, лауреатом премии Правительства РФ 2009 г. в области науки и техники и премии им. С. А. Лебедева РАН, награжден медалью 850-летия г. Москвы и орденом Дружбы. Среди его учеников доктора и кандидаты наук, в том числе руководители микроэлектронных производств. Александр Александрович более 45 лет занимается преподавательской деятельностью. В настоящее время является заведующим базовых кафедр физических и технологических проблем микроэлектроники МФТИ на базе Физико-технологического института РАН и кафедры нанотехнологий в электронике Ярославского государственного университета им. П. Г. Демидова (ЯрГУ) на базе Ярославского филиала Физико-технологического института (ЯФ ФТИАН). При ЯрГУ и ЯФ ФТИАН под научным руководством А. А. Орликовского созданы Научно-образовательный центр нанотехнологий и инноваций и Центр коллективного пользования "Диагностика микро- и наноструктур". По существу А. А. Орликовским совместно с академиком К. А. Валиевым создана научная школа по направлению "Физика и технология элементной базы кремниевой микро- и наноэлектроники и твердотельных квантовых компьютеров". Талантливый организатор науки, он как человек, ученый и гражданин обладает даром увлекать людей во имя высоких целей, создавать благоприятную творческую обстановку. Александр Александрович --- бессменный председатель оргкомитета международной конференции "Микро- и наноэлектроника" (ICMNE), член Азиатско-тихоокеанской академии наук о материалах, главный редактор журнала "Микроэлектроника", председатель Научного совета "Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем" и член бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, председатель специализированного совета по защитам диссертаций. Мы от всей души поздравляем Александра Александровича с днем рождения, желаем ему крепкого здоровья и новых творческих успехов на благо Отечества. Коллеги, друзья, ученики и редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  • C.H. Henry. IEEE J. Quant. Electron., 18 (2), 259 (1982)
  • A.L. Schawlow, C.H. Townes. Phys. Rev., 112 (6), 1940 (1958)
  • А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
  • S. Fathpour, Z. Mi, P. Bhattacharya. J. Phys. D: Appl. Phys., 38 (13), 2103 (2005)
  • J. Muszalski, J. Houlihan, G. Huyet, B. Corbett. Electron. Lett., 40 (7), 428 (2004)
  • D.-Y. Cong, A. Martinez, K. Merghem, G. Moreau, A. Lema\^i tre, J.-G. Provost, O. Le Gouezigou, M. Fischer, I. Krestnikov, A.R. Kovsh, A. Ramdane. Electron. Lett., 43 (4), 222 (2007)
  • S. Melnik, G. Huyet, A. Uskov. Opt. Express, 14 (7), 2950 (2006)
  • K.C. Kim, I.K. Han, J.I. Lee, T.G. Kim. Nanotechnology, 21 (13), 134 010 (2010)
  • S. Ghosh, S. Pradhan, P. Bhattacharya. Appl. Phys. Lett., 81 (16), 3055 (2002)
  • P.K. Kondratko, S.-L. Chuang, G. Walter, T. Chung, N. Holonyak. Appl. Phys. Lett., 83 (23), 4818 (2003)
  • I.D. Henning, J.V. Collins. Electron. Lett., 19 (22), 927 (1983)
  • C. Harder, K. Vahala, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 42 (4), 328 (1983)
  • A. Villafranca, J.A. Lazaro, I. Salinas, I. Garces. IEEE Phot. Techn. Lett., 17 (11), 2268 (2005)
  • F. Devaux, Y. Sorel, J.F. Kerdiles. J. Lightwave Technol., 11 (12), 1937 (1993)
  • B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 44 (9), 4113 (1973)
  • A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. J. Cryst. Growth, 251 (1--4), 729 (2003)
  • D.-Y. Cong, A. Martinez, K. Merghem, A. Ramdane, J.-G. Provost, M. Fischer, I. Krestnikov, A. Kovsh. Appl. Phys. Lett., 92 (19), 191 109 (2008)
  • А.Е. Жуков, А.В. Савельев, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Е.М. Аракчеева, Ф.И. Зубов, А.А. Красивичев, Н.В. Крыжановская. ФТП, 46 (2), 235 (2012)
  • A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shemyakov, M.V Maximov, D.A. Livshits, VM. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38 (19), 1104 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.