21 марта 2013 г. на 101-м году жизни скончался Николай Алексеевич Пенин - доктор физико-математических наук, профессор, заслуженный деятель науки РСФСР, видный специалист в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Им получены результаты первостепенного научного и практического значения. Многие его работы легли в основу промышленного развития полупроводниковой электроники в СССР. После окончания в 1939 г. Физического факультета Московского Государственного университета им. М. В. Ломоносова (МГУ) работал научным сотрудником в Научно-исследовательском кинофотоинституте, где участвовал в разработке селеновых выпрямителей для кино- и оборонной техники. Им разработана методика очистки и легирования селена, а также более совершенная технология изготовления селеновых выпрямителей. В конце 1945 г. Николай Алексеевич перешел в Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт (ЦНИРТИ), тогда ЦНИИ-108 Министерства обороны. Здесь первым в нашей стране получил очищенный, а затем монокристаллический и легированный мелкой примесью (сурьма) германий (1948 г.). В итоге были созданы и испытаны на радиолокационных станциях германиевые смесительные СВЧ детекторы с устойчивыми характеристиками. В 1951 г. за эти работы Н. А. Пенину (совместно с С. Г. Калашниковым, В. Г. Алексеевой и Г. С. Кубецким) присуждена Сталинская премия. Н. А. Пенин принимал активное участие в создании первых советских вплавных диодов и транзисторов (1952-1955 гг.). Разработанная в ЦНИИ-108 технология позволила получить транзисторы с наилучшими высокочастотными характеристиками. В 1956 г. Н. А. Пенин в составе лаборатории С. Г. Калашникова был переведен в Институт радиотехники и электроники АН СССР, где выполнил ряд исследований диодов с p-n-переходами. На основе исследований емкостных характеристик вплавных диодов были созданы первые параметрические диоды. С 1959 г. и до конца жизни Н. А. Пенин работал в Физическом институте им. П. Н. Лебедева РАН (старший научный сотрудник, зав. сектором, научный советник). Здесь он разработал и собрал своими руками сложную установку для исследования электронного парамагнитного резонанса в полупроводниках. Этим методом установил, в частности, наличие обменного взаимодействия между атомами фосфора при высоких концентрациях этой примеси. [!t] Для лазерной локации на длине волны 10.6 мкм он разработал и создал гетеродинный примесный фотоприемник на основе германия, легированного цинком и сурьмой, с чувствительностью, близкой к квантовому пределу. В результате исследования эффекта разогрева дырок слабым электрическим полем в германии p-типа проводимости был создан модулятор излучения диапазона 10 мкм с предельной частотой модуляции более 10 ГГц. Теоретически рассмотрел эффект отрицательной емкости в однородной полупроводниковой структуре (работа вызвала широкий интерес), емкостные и фотоемкостные свойства МДП конденсатора при низких температурах. Н. А. Пенин опубликовал более 100 научных статей и (в соавторстве с С. Н. Ивановым, Н. Е. Скворцовой и Ю. Ф. Соколовым) монографию "Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов" (1965 г.), переведенную на английский язык и изданную в Англии в 1969 г. Николай Алексеевич был прекрасным педагогом. Под его научным руководством защищены 12 кандидатских диссертаций, среди его учеников 5 докторов наук. Н. А. Пенин - один из основателей кафедры физики полупроводников физического факультета МГУ. Он подготовил и прочитал первый курс по физике полупроводниковых приборов, автор курсов по физике полупроводников, читавшихся им в МГУ и Московском энергетическом институте. Н. А. Пенин был членом ряда специализированных научных советов; более 10 лет являлся членом секции по радиоэлектронике в Комитете по Ленинским и Государственным премиям СССР, а также членом экспертной группы по экспериментальной физике в Высшей аттестационной комиссии. Н. А. Пенин был награжден орденами "Трудового Красного Знамени", "Знак почета", "Почета" и рядом медалей. Светлый образ Николая Алексеевича Пенина, замечательного ученого и человека, навсегда останется в нашей памяти. Коллеги, друзья, ученики и редакционная коллегия журнала Физика и техника полупроводников"

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.