Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge₂Sb₂Te₅

DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50376.9524

Переводная версия: 10.1134/S1063782621010127

Марченко А.В.

¹, Теруков Е.И.^2,3, Насрединов Ф.С.

⁴, Петрушин Ю.А.¹, Серегин П.П.

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: al7140@rambler.ru, nasfas@mail.ru, ppseregin@mail.ru

Поступила в редакцию: 21 сентября 2020 г.

В окончательной редакции: 23 сентября 2020 г.

Принята к печати: 23 сентября 2020 г.

Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на примесных центрах ¹¹⁹Sn показано, что атомы германия в структуре аморфных и поликристаллических пленок Ge₂Sb₂Te₅ имеют различную симметрию локального окружения (тетраэдрическую в аморфной фазе и октаэдрическую в кристаллической фазе). Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на примесных центрах ^119mSn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов ¹¹⁹Sb и ^119mTe, идентифицированы антиструктурные дефекты олова в узлах сурьмы и теллура кристаллических пленок Ge₂Sb₂Te₅. Ключевые слова: антиструктурные дефекты, мессбауэровская спектроскопия, Ge₂Sb₂Te₅.

A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Materials, 3, 703 (2004)
C. Hu, Z. Yang, C. Bi, H. Peng, L. Ma, C. Zhang, Z. Gu, J. Zhu. Acta Materialia, 188, 121 (2020)
K. Bobokhuzhaev, A. Marchenko, P. Seregin. Structural and antistructural defects in chalcogenide semiconductors. Mossbauer spectroscopy (Academic Pubblishing, 2020)
Л.Н. Серегина, Ф.С. Насрединов, Б.Т. Мелех, З.В. Маслова, Э.Ю. Тураев, П.П. Серегин. Физика и химия стекла, 3, 328 (1977)
M. Micoulaut, K. Gunasekera, S. Ravindren, P. Boolchand. Phys. Rev. B, 90, 094207 (2014)
А.В. Марченко, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, К.Б. Шахович. ФТП, 53, 718 (2019)
T. Kato, K. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 44, 7340 (2005)
R.M. Shelby, S. Raoux. J. Appl. Phys., 105, 104902 (2009)
T. Siegrist, P. Jost, H. Volker. Nature Materials, 10, 202 (2011)
V. Sousa. Microelectronic Engin., 88, 807 (2011)
F. Ambe, S. Ambe. J. Chem. Phys., 73, 2029 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель