Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные, электрические и оптические свойства 4H-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников

DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50239.9498

Переводная версия: 10.1134/S1063782620120118

Калинина Е.В.¹, Каташев А.А.^1,2, Виолина Г.Н.², Стрельчук А.М.¹, Никитина И.П.¹, Иванова Е.В.¹, Забродский В.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: Evk@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 3 августа 2020 г.

В окончательной редакции: 10 августа 2020 г.

Принята к печати: 10 августа 2020 г.

Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования различными методиками исходных структур n-4H-SiC, представляющих высоколегированную n⁺-подложку с выращенным химическим осаждением из газовой фазы эпитаксиальным слоем толщиной 5 мкм. Концентрация носителей заряда в эпитаксиальном слое в диапазоне N_d-N_a=(1-50)·10¹⁴ см^-3. Привлекая результаты рентгеноструктурного анализа, было установлено, что для получения эффективных 4H-SiC ультрафиолетовых фотоприемников желательно иметь структуры эпитаксиальных слоев, в которых наблюдается эффект геттерирования точечных дефектов, что приводит к росту времени жизни носителей заряда и увеличению значений квантовой эффективности. Фоточувствительность исследованных образцов значительно зависит от степени дефектности в CVD эпитаксиальном слое, приводящей к изменению времени жизни носителей заряда и, как следствие, к изменению квантовой эффективности 4H-SiC ультрафиолетовых фотоприемников. Ключевые слова: карбид кремния, рентгеноструктурный анализ, эффект геттерирования, квантовая эффективность.

E. Monroy, F. Omnes, F. Calle. Semicond. Sci. Technol., 18, R33 (2003)
D. Decoster, J. Harari. Ultraviolet Photodetectors in Optoelectronic Sensors (Hoboken-N. J., John Willey \& Sons, Inc., 2009) p. 181
P.N. Aruev, M.M. Barysheva, B.Y. Ber, N.V. Zabrodskaya, V.V. Zabrodskii, A.Y. Lopatin, A.E. Pestov, M.V. Petrenko, V.N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, V.L. Sukhanov, N.I. Chkhalo. Quant. Electron., 42, 943 (2012)
Y.A. Goldberg. Semicond. Sci. Technol., 14, R41 (1999)
D. Prasai, W. John, L. Weixelbaum, O. Kruger, G. Wagner, P. Sperfeld, S. Nowy, D. Friedrich, S. Winter, T. Weiss. J. Mater. Res., 28, 33 (2013)
Chen, H. Zhu, J. Cai, Z. Wu. J. Appl. Phys., 102, 024505 (2007)
F. Yan, X. Xin, S. Aslam, Y. Zhao, D. Franz, J. Zhao, M. Weiner. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1315 (2004)
Brown, E.T. Downey, M. Ghezzo, J.W. Kretchmer, R.J. Saia, Y.S. Liu, J.A. Edmond, G. Gati, J.M. Pimbley, W.E. Schneider. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 325 (1993)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85 (17), 3780 (2004)
Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37 (10), 1260 (2003)
D.M. Martin, H. Kortegaard Nielsen, P. Leveque, A. Hallen. Appl. Phys. Lett., 84 (10), 1704 (2004)
Е.В. Калинина, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев, А.М. Стрельчук, Г.Н. Виолина. ФТП, 44 (6), 807 (2010)
Е.В. Калинина, Г.Н. Виолина, И.П. Никитина, М.A. Яговкина, Е.В. Иванова, В.В. Забродский. ФТП, 53 (6), 856 (2019)
E.В. Калинина, A.A. Лебедев, E.В. Богданова, B. Berenquier, L. Ottaviani, Г.Н. Виолина, В.A. Скуратов. ФТП, 49 (4), 550 (2015)
A. Sciuto, F. Rossaforte, S. Di Franco, V. Raineri, G. Bonanno. Appl. Phys. Lett., 89, 081111 (2006)
J. Hu, X. Xin, J.H. Zhao, F. Yan, B. Guan, J. Seely. Optics Lett., 31 (11), 1591 (2006)
М.В. Заморянская, С.Г. Конников, А.Н. Заморянский. Приборы и техника эксперимента, 4, 62 (2004)
A. Gottwald, U. Kroth, M. Richter, H. Schoppe, G. Ulm. Meas. Sci. Technol., 21, 125101 (2010)
Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, Ленингр. отд-ние, 1972, АН СССР ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках (Н. Новгород, Изд-во Нижегород. ГУ, 2002) ч. 1, гл. 3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель