Структурные, электрические и оптические свойства 4H-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
Калинина Е.В.1, Каташев А.А.1,2, Виолина Г.Н.2, Стрельчук А.М.1, Никитина И.П.1, Иванова Е.В.1, Забродский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Evk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 10 августа 2020 г.
Принята к печати: 10 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.
Представлены результаты исследования различными методиками исходных структур n-4H-SiC, представляющих высоколегированную n+-подложку с выращенным химическим осаждением из газовой фазы эпитаксиальным слоем толщиной 5 мкм. Концентрация носителей заряда в эпитаксиальном слое в диапазоне Nd-Na=(1-50)·1014 см-3. Привлекая результаты рентгеноструктурного анализа, было установлено, что для получения эффективных 4H-SiC ультрафиолетовых фотоприемников желательно иметь структуры эпитаксиальных слоев, в которых наблюдается эффект геттерирования точечных дефектов, что приводит к росту времени жизни носителей заряда и увеличению значений квантовой эффективности. Фоточувствительность исследованных образцов значительно зависит от степени дефектности в CVD эпитаксиальном слое, приводящей к изменению времени жизни носителей заряда и, как следствие, к изменению квантовой эффективности 4H-SiC ультрафиолетовых фотоприемников. Ключевые слова: карбид кремния, рентгеноструктурный анализ, эффект геттерирования, квантовая эффективность.
- E. Monroy, F. Omnes, F. Calle. Semicond. Sci. Technol., 18, R33 (2003)
- D. Decoster, J. Harari. Ultraviolet Photodetectors in Optoelectronic Sensors (Hoboken-N. J., John Willey \& Sons, Inc., 2009) p. 181
- P.N. Aruev, M.M. Barysheva, B.Y. Ber, N.V. Zabrodskaya, V.V. Zabrodskii, A.Y. Lopatin, A.E. Pestov, M.V. Petrenko, V.N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, V.L. Sukhanov, N.I. Chkhalo. Quant. Electron., 42, 943 (2012)
- Y.A. Goldberg. Semicond. Sci. Technol., 14, R41 (1999)
- D. Prasai, W. John, L. Weixelbaum, O. Kruger, G. Wagner, P. Sperfeld, S. Nowy, D. Friedrich, S. Winter, T. Weiss. J. Mater. Res., 28, 33 (2013)
- Chen, H. Zhu, J. Cai, Z. Wu. J. Appl. Phys., 102, 024505 (2007)
- F. Yan, X. Xin, S. Aslam, Y. Zhao, D. Franz, J. Zhao, M. Weiner. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1315 (2004)
- Brown, E.T. Downey, M. Ghezzo, J.W. Kretchmer, R.J. Saia, Y.S. Liu, J.A. Edmond, G. Gati, J.M. Pimbley, W.E. Schneider. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 325 (1993)
- A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85 (17), 3780 (2004)
- Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37 (10), 1260 (2003)
- D.M. Martin, H. Kortegaard Nielsen, P. Leveque, A. Hallen. Appl. Phys. Lett., 84 (10), 1704 (2004)
- Е.В. Калинина, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев, А.М. Стрельчук, Г.Н. Виолина. ФТП, 44 (6), 807 (2010)
- Е.В. Калинина, Г.Н. Виолина, И.П. Никитина, М.A. Яговкина, Е.В. Иванова, В.В. Забродский. ФТП, 53 (6), 856 (2019)
- E.В. Калинина, A.A. Лебедев, E.В. Богданова, B. Berenquier, L. Ottaviani, Г.Н. Виолина, В.A. Скуратов. ФТП, 49 (4), 550 (2015)
- A. Sciuto, F. Rossaforte, S. Di Franco, V. Raineri, G. Bonanno. Appl. Phys. Lett., 89, 081111 (2006)
- J. Hu, X. Xin, J.H. Zhao, F. Yan, B. Guan, J. Seely. Optics Lett., 31 (11), 1591 (2006)
- М.В. Заморянская, С.Г. Конников, А.Н. Заморянский. Приборы и техника эксперимента, 4, 62 (2004)
- A. Gottwald, U. Kroth, M. Richter, H. Schoppe, G. Ulm. Meas. Sci. Technol., 21, 125101 (2010)
- Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, Ленингр. отд-ние, 1972, АН СССР ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
- В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках (Н. Новгород, Изд-во Нижегород. ГУ, 2002) ч. 1, гл. 3
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
