Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О структуре тонких пленок монооксида германия

DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50228.9508a

Переводная версия: 10.1134/S1063782620120027

Российский научный фонд, РНФ-MOST, 18-49-08001

Министерство образования и науки РФ , 2020-1902-01-058

Астанкова К.Н.

¹, Володин В.А.

^1,2, Азаров И.А.

^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: as-tankoff@ya.ru, volodin@isp.nsc.ru, azarov_ivan@mail.ru

Поступила в редакцию: 24 августа 2020 г.

В окончательной редакции: 28 августа 2020 г.

Принята к печати: 28 августа 2020 г.

Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью оптических (спектроскопия комбинационного рассеяния света, инфракрасная спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия) и электронно-микроскопических методов установлено, что атомная структура пленок монооксида германия стехиометрического состава соответствует модели случайных связей, без формирования нанокластеров германия. Данная структура метастабильна и трансформируется в структуру случайной фазы при температуре 260^oC и выше. Причиной метастабильности твердого GeO может являться наличие внутренних механических напряжений в атомной сетке. Ключевые слова: монооксид германия, метастабильность, модель случайных связей.

C.H. Cheng, A. Chin, F.S. Yeh. Symp. VLSI Technol., Dig. Tech. Pap. (Honolulu, Hawaii, 2010) p. 85
V.A. Volodin, G.N. Kamaev, V.A. Gritsenko, A.A. Gismatulin, A. Chin, M. Vergnat. Appl. Phys. Lett., 114, 233104 (2019)
A.V. Shaposhnikov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, C.H. Cheng, A. Chin. Appl. Phys. Lett., 100, 243506 (2012)
V.A. Volodin, G.N. Kamaev, M. Vergnat. Phys. Status Solidi RRL, 14, 2000165 (2020)
И.В. Тананаев, М.Я. Шпирт. Химия германия (М., Химия, 1967) гл. 4, с. 102
Н.А. Васютинский, Ю.И. Рысьева, Г.И. Петров, А.П. Сидоренко. Неорг. матер., 1 (7), 1057 (1965)
А.П. Мартыненко, В.С. Крюков, Б.В. Стрижков, К.Г. Марин. Неорг. матер., 9 (9), 1568 (1973)
Е.Б. Горохов, В.В. Грищенко. В сб.: Эллипсометрия: теория, методы, приложения (Новосибирск, Наука, 1987) с. 147
K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, T. Ogino. Appl. Phys. Lett., 76 (16), 2244 (2000)
И.Г. Стоянова, А.А. Тимофеев, А.Н. Зелянина, В.Н. Рыбаков, И.Ф. Анискин, З.А. Маслова, Н.М. Моисеева. Электрон. техн., сер. III, Микроэлектроника, 1, 71 (1972)
D.V. Sheglov, E.B. Gorokhov, V.A. Volodin, K.N. Astankova, A.V. Latyshev. Nanotechnology, 19 (24), 245302 (2008)
Д.А. Джишиашвили, В.В. Гобронидзе, З.В. Беришвили, З.Н. Шиолашвили, Г.A. Схиладзе, Л.Г. Сахвадзе. Тр. Междунар. конф. "Современные информационные и электронные технологии" (Одесса, Украина, 2005) с. 371
S.G. Ellis. J. Appl. Phys., 28 (11), 1262 (1957)
Laser pulses --- theory, technology, and applications, ed. by I. Peshko (Rijeka, InTech., 2012) v. 13, p. 383
В.В. Стрекалов. Автореф. маг. дис. (Новосибирск, Новосибирский гос. технический ун-т, 2014)
В.А. Володин, В.А. Гриценко, A. Chin. Письма ЖТФ, 44 (10), 37 (2018)
W. Sun, G. Zhong, C. Kubel, A.A. Jelle, C. Qian, L. Wang, M. Ebrahimi, L.M. Reyes, A.S. Helmy, G.A. Ozin. Angew. Chem. Int. Ed., 56, 6329 (2017)
M. Ardyanian, H. Rinnert, X. Devaux, M. Vergant. Appl. Phys. Lett., 89, 011902 (2006)
Y. Negishi, S. Nagao, Y. Nakamura, A. Nakajima. J. Appl. Phys., 88 (10), 6037 (2000)
K.N. Astankova, E.B. Gorokhov, I.A. Azarov, V.A. Volodin, A.V. Latyshev. Surfaces and Interfaces, 6, 56 (2017)
В.А. Гриценко. УФН, 178 (7), 727 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель