Вышедшие номера
Energy spectrum in a shallow GaAs/AlGaAs quantum well probed by spectroscopy of nonradiative broadening of exciton resonances
Полная версия: 10.1134/S1063782620110172
Russian Foundation for Basic Research, 19-02-00576a
Russian Foundation for Basic Research, 18-32-00516
Russian Foundation for Basic Research, 20-32-70131
Kurdyubov A.S. 1, Gribakin B.F.1, Mikhailov A.V.1, Trifonov A.V.1, Efimov Yu.P.2, Eliseev S.A.2, Lovtcius V.A.2, Ignatiev I.V.1
1Spin Optics Laboratory, St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia
2Resourse Center ``Nanohotonics'', St.-Petersburg State University, Ulyanovskaya 1, Petrodvorets, 198504, St.-Petersburg, Russia
Email: kurdyubov@yandex.ru, bgribakin@gmail.com, mikhailovav@yandex.ru, a.trifonov@spbu.ru, yuryefimov@mail.ru, s.a.eliseev@spbu.ru, viacheslav.lovtcius@spbu.ru, i.ignatiev@spbu.ru
Поступила в редакцию: 23 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.

The energy spectrum of the exciton and carrier states in a shallow GaAs/AlGaAs quantum well is experimentally studied by means of the spectroscopy of the nonradiative broadening of exciton resonances and the spectroscopy of the photoluminescence excitation. The observed peculiarities of the spectra are treated using the numerical solution of the one-dimensional Schrodinger equation for free carriers and three-dimensional equation for excitons in the quantum well. The conduction and valence band offsets in the shallow GaAs quantum well are determined. Keywords: exciton spectroscopy; GaAs/AlGaAs quantum well; nonradiative broadening.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.