Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Двух- и трехфотонный линейно-циркулярный дихроизм в полупроводниках кубической симметрии
Переводная версия: 10.1134/S1063782620110226 
Министерство высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан, Физика и астрономия, ОТ -Ф2-66
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан 
Email: r_rasulov51@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 13 июля 2020 г.
Принята к печати: 13 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.
Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм двух- и трехфотонного поглощения света в полупроводниках кубической симметрии дырочной проводимости. Рассчитаны матричные элементы двух- и трехфотонных оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов, а также определены спектральная и температурная зависимости коэффициента двух- и трехфотонного поглощения поляризованного излучения. Ключевые слова: линейно и циркулярно поляризованный свет, матричный элемент, оптический переход, вероятность перехода, носители тока, валентная зона, полупроводник.
- E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures (Harrow, Alpha Science International Ltd, 2005) v. XII, p. 427
- Е.Л. Ивченко. Автореф. докт. дис. (Л., 1983) с. 148; Е.Л. Ивченко. ФТТ, 14 (12), 3489 (1972)
- M.I. Dyakonov (еd.). Spin Physics in Semiconductors (Springer Verlag, Heidelberg, 2008) р. 447; F. Meier, B.P. Zakharchenya (eds). Optical orientation (North-Holland, N. Y.--Tokyo, 1984) р. 534
- В.А. Шалыгин. Автореф. докт. дис. (СПб., 2013) с. 34
- Р.Я. Расулов. Диссертация на соиск. уч. ст. докт. дис. (СПб., 1993) с. 168
- R.A. Negres A., J.M. Hales, A. Kobyakov, D.J. Hagan, E.W. van Stryland. IEEE J. Quant. Electron., 38, 205 (2002)
- J. He, Y. Qu, H. Li, J. Mi, W. Ji. Opt. Express, 13, 9235 (2005)
- W.C. Hurlbut, Y.-Sh. Lee, K.L. Vodopyanov, P.S. Kuo, M.M. Fejer. Optics Lett., 32, 668 (2007)
- Sh. Pearl, N. Rotenberg, H.M. van Driel. Appl. Phys. Lett., 93, 131102 (2008)
- V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev. Phys. Solid State, 59 (3), 463 (2017)
- V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev. Russian Phys. J., 58 (12), 1681 (2016)
- Р.Я. Расулов. ФТТ, 35 (6), 1107 (1993)
- С.Д. Ганичев, Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов, И.Д. Ярошецкий, Б.Я. Авербух. ФТТ, 35 (1), 198 (1993)
- V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev. Semiconductors, 50 (2), 145 (2016)
- V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev. Russian Phys. J., 59 (1), 92 (2016)
- В.Р. Расулов, Р.Я. Расулов, И.М. Эшболтаев. Изв. вузов. Физика, 59 (3), 114 (2013)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1973) с. 584
- Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов. Симметрия и реальная зонная структура полупроводников (Ташкент, Фан, 1989) с. 126
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
