Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе alpha- и ε-Ga2O3
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100152 
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Kalygina@ngs.ru, nkvlad@inbox.ru, almaev_alex@mail.ru, zoldmine@gmail.com, viktor.kopev@gmail.com, petrovays@mail.ru, alpechn@yandex.ru, pavel@butneko.info
Поступила в редакцию: 27 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 2 июня 2020 г.
Принята к печати: 2 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
Рассмотрено влияние ультрафиолетового излучения и сильного электрического поля на проводимость структур на основе двух типов полиморфных пленок оксида галлия. Оба типа пленок Ga2O3 получены осаждением из газовой фазы методом хлоридной эпитаксии на гладкие и структурированные сапфировые подложки ориентации (0001). В одном и том же процессе на гладких подложках росли alpha-Ga2O3 пленки, а на структурированных - пленки оксида галлия, с регулярными структурами, перпендикулярными к подложке, содержащими чередующиеся области alpha- и ε-фазы. Резистивные структуры на основе двухфазных пленок обнаруживают переход из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением при воздействии излучения с λ=254 нм и сильного электрического поля. Время формирования отклика на УФ излучение - 5 с, время восстановления меньше 1 с. Ключевые слова: оксид галлия, HVPE, полиморфизм, ультрафиолет, вольт-амперные характеристики.
- S. Lee, Y. Ito, K. Kaneko, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 3 (2015)
- A.A. Dakhel. Sol. St. Sci., 20, 54 (2013)
- S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016)
- I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. Caplovicova, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecza, R. Fornari. Cryst. Eng. Commun., 19, 1509 (2017)
- D. Guo, X. Qin, M. Lv, H. Shi, Y. Su, G. Yao, S. Wang, C. Li, P. Li, W. Tang. Electron. Mater. Lett., 13, 483 (2017)
- L. Qian, Z. Wu, Y. Zhang, P. Lai, X. Liu, Y. Li. ACS Photonics, 4, 2203 (2017)
- J.W. Roberts, P.R. Chalker, B. Ding, R.A. Oliver, J.T. Gibbon, L.A.H. Jones, V.R. Dhanak, L.J. Phillips, L.J. Major, F.C. Massabuau. J. Cryst. Growth, 528, 125254 (2019)
- X. Xia, Y. Chen, Q. Feng, H. Liang, P. Tao, M. Xu, G. Du. Appl. Phys. Lett., 108, 202103 (2016)
- H. Son, Y. Choi, J. Hwang, D. Jeon, Y. Ra, Y. Lee, J. Kim, S. Kim, T. Lim. ECS J. Solid State Sci. Technol., 8, 3024 (2019)
- Y. Xu, C. Zhang, Y. Cheng, Z. Li, Y. Cheng, Q. Feng, D. Chen, J. Zhang, Y. Hao. Materials, 12, 3670 (2019)
- V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, V.V. Nikolaev, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, S.I. Stepanov, O.S. Medvedev, S.V. Shapenkov, E.V. Ubyivovk, O.F. Vyvenko. J. Phys.: Conf. Ser., 1400, 055049 (2019)
- S. Shapenkov, O. Vyvenko, E. Ubyivovk, O. Medvedev, G. Varygin, A. Chikiryaka, A. Pechnikov, M. Scheglov, S. Stepanov, V. Nikolaev. Phys. Status Solidi A, 217, 1900892 (2020).
- C. Shih. Adv. Mater. Sci. Engin., 2014, 4 (2014)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- G.C. Hu, C.X. Shan, N. Zhang, M.M. Jiang, S.P. Wang, D.Z. Shen. Opt. Express, 23, 13559 (2015)
- S.B. Cho, R. Mishra. Appl. Phys. Lett., 112, 162101 (2018).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
