Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

"Брэгговская" решетка заселенности электронов, наводимая в гетероструктуре Al_xGa_1-xAs-GaAs-Al_xGa_1-xAs ее собственным стимулированным пикосекундным излучением

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49937.9314

Переводная версия: 10.1134/S1063782620100024

Агеева Н.Н.

¹, Броневой И.Л.

¹, Забегаев Д.Н.

¹, Кривоносов А.Н.

¹Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: ann@cplire.ru, bil@cplire.ru, kan@cplire.ru

Поступила в редакцию: 14 ноября 2019 г.

В окончательной редакции: 11 февраля 2020 г.

Принята к печати: 22 апреля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что модуляция спектра стимулированного пикосекундного излучения, генерируемого в волноводной гетероструктуре Al_xGa_1-xAs-GaAs-Al_xGa_1-xAs при оптической накачке GaAs, и еще ряд предыдущих экспериментальных результатов становятся объяснимыми в предположении об образовании излучением симметричной модификации "брэгговской" решетки заселенности неравновесных электронов в GaAs. Предложены граничные условия, определяющие конструкцию решетки. Чтобы удовлетворять им, решетка может меняться только дискретно. Последнее согласуется с изменением модуляции спектра поглощения света в GaAs, отображающей модуляцию обеднения заселенности, создаваемую излучением. Наведение решетки, или выжигание пространственных дыр, является одной из причин многомодовости излучения, конкуренции и переключения его мод, модуляции спектра усиления (выжигания частотных дыр). Аналогичное возможно и в полупроводниковом лазере, как в волноводе. Ключевые слова: брэгговская решетка, пикосекундное стимулированное излучение, заселенность электронов, модуляция спектра, волноводная гетероструктура, конкуренция мод, выжигание пространственных дыр.

Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 144, 227 (2013)
C.L. Tang, H. Statz, G. de Mars. J. Appl. Phys., 34, 2289 (1963)
О. Звелто. Принципы лазеров (СПб., Лань, 2008) с. 720
H. Statz, C.L. Tang, J.M. Lavine. J. Appl. Phys., 35, 2581 (1964)
Л.В. Асрян, Р.А. Сурис. ФТП, 33 (9), 1076 (1999)
А.В. Савельев, В.В. Коренев, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. ФТП, 49 (11), 1546 (2015)
W. S. Rabinovich, B. J. Feldman. IEEE J. Quant. Electron., 25 (1), 20 (1989)
А.В. Андреев. УФН, 160, 1 (1990)
P.P. Vasil'ev, R.V. Penty, I.H. White. Light Sci. Appl., 5 (6), e16086 (2016)
P.P. Vasil'ev, R.V. Penty, I.H. White. Opt. Express, 26 (20), 26156 (2018)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. Радиотехника и электроника, 63, 1130 (2018)
Н.А. Семенов. Техническая электродинамика (М., Связь, 1973)
J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
В.Н. Лукьянов, А.Т. Семенов, Н.В. Шелков, С.Д. Якубович. Квант. электрон., 2, 2373 (1975)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.В. Стеганцов. ФТП, 40, 806 (2006)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, Т.А. Налет. ФТП, 42, 1053 (2008)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 44, 1157 (2010)
N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel`. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989)
И.Л. Броневой, С.Е. Кумеков, В.И. Перель. Письма ЖЭТФ, 43, 368 (1986)
I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, T.A. Nalet. Sol. St. Commun., 98, 903 (1996)
Х. Бергнер, Ф. Брюкнер, Б. Шрeдер. Квант. электрон., 10, 1150 (1983)
C.W. Willemsen, L.A. Coldren, H. Temkin. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers: Design, Fabrication, Characterization, and Applications (Cambridge University Press, Cambridge, UK, 2001)
Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Физматлит, 2003)
L.W. Casperson. J. Appl. Phys., 48, 256 (1977)
В.Д. Соловьев. Физика лазеров. Текст лекций (4-й курс). http://elib.spbstu.ru/dl/2313.pdf/download/2313.pdf
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 1, 25 (2020)
В. П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель