Вышедшие номера
Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия
Львова Т.В.1, Дунаевский М.С.1, Лебедев М.В.1, Шахмин А.Л.2, Седова И.В.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петребургский государственный политехнический университет Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Методом рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии проведен анализ элементного состава и электронно-энергетической структуры как естественно окисленной поверхности подложек InSb (100), так и подложек, обработанных в водных растворах сульфида натрия. Установлено, что в результате обработки в 1 М водном растворе Na2S и последующем отжиге в вакууме при температуре 150oC происходит полное удаление поверхностного слоя комплексных оксидов сурьмы и индия нестехиометрического состава с образованием сплошного хемосорбированного слоя атомов серы, когерентно-связанного с атомами индия. Согласно данным атомно-силовой микроскопии, в процессе сульфидной пассивации не происходит травления основного материала подложки. Обнаружен сдвиг (на 0.37 эВ) линии объемной фотоэмиссии In-Sb в сторону больших энергий связи, что свидетельствует о сдвиге поверхностного уровня Ферми в глубь зоны проводимости.