Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петребургский государственный политехнический университет Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петребургский государственный политехнический университет Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
Методом рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии проведен анализ элементного состава и электронно-энергетической структуры как естественно окисленной поверхности подложек InSb (100), так и подложек, обработанных в водных растворах сульфида натрия. Установлено, что в результате обработки в 1 М водном растворе Na2S и последующем отжиге в вакууме при температуре 150oC происходит полное удаление поверхностного слоя комплексных оксидов сурьмы и индия нестехиометрического состава с образованием сплошного хемосорбированного слоя атомов серы, когерентно-связанного с атомами индия. Согласно данным атомно-силовой микроскопии, в процессе сульфидной пассивации не происходит травления основного материала подложки. Обнаружен сдвиг (на 0.37 эВ) линии объемной фотоэмиссии In-Sb в сторону больших энергий связи, что свидетельствует о сдвиге поверхностного уровня Ферми в глубь зоны проводимости.
- N. Kuze, l. Shibasaki. III-Vs Review, 10, 28 (1997)
- P.J. Treado, I.W. Levin, E.N. Lewis, Appl. Spectroscopy, 48, 607 (1994)
- T. Ashley, L. Buckle, S. Dutta et al. Electron. Lett., 43, 777 (2007)
- F.L. Lie, A.J. Muscat. J. Phys. Chem. C, 115,7440 (2011)
- L. Haworth, J. Lu, D.I. Westwood, J.E. MacDonald. Appl. Surf. Sci., 166, 253 (2000)
- R. Tessler, C. Saguy, O. Klin, S. Greenberg, E. Weiss, R. Akhvlediani, R. Edrei, A. Hoffman. Appl. Phys. Lett., 88, 031 918 (2006)
- S.R. Vangala, H. Dauplaise, C. Sateufemio, C. Lynch, P. Alcorn, L.P. Allen, G. Dallas, K. Vaccaro, D. Bliss, W.D. Goodhue. CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
- T.V. L'vova, I.V. Sedova, V.P. Ulin, S.V. Sorokin, V.A. Solov'ev, A.A. Sitnikova, V.L. Berkovits, S.V. Ivanov. Vacuum, 57, 163, (2000)
- D.Y. Petrovykh, M.J. Yang, L.J. Whitman. Surf. Sci., 523, 231, (2003)
- Т.В. Львова, В.Л. Берковиц, М.С. Дунаевский, С.В. Иванов, А.Н. Карпенко, И.В. Седова, В.П. Улин. ФТТ, 51, 6, (2009)
- S. Ichikawa, Y. Suzuki, N. Sanada, N. Utsumi, T. Yamaguchi, X.Y. Gong , Y. Fukuda. J. Vac. Technol. A, 17 (2), 421 (1999)
- M.V. Lebedev, M. Shimomura, Y. Fukuda. Surface and Interface Analysis, 42, 791 (2010)
- D.M. Zhemokletov, H. Dong, B. Brennan, J. Kim, R.M. Wallace, J. Vac. Sci. Technol. B, 30, 04E103 (2012)
- P.D.C. King, T.D. Veal, M.J. Lowe, C.F. McConville. J Appl. Phys., 104 , 083 709 ( 2008)
- S.D. Gardner, C.S.K. Singamsetty, G.L. Booth, G.-R. He, C.U. Pittman, jr. Carbon, 33, 587 (1995)
- V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, G.F. Shakia shvili, V.P. Ulin, D. Paget. Appl. Phys. Lett., 63, 970, (1993)
- И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 653 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
