Легирование полупроводников группы II-VI и низкоразмерных структур на их основе марганцем приводит к эффективному тушению электро- и фотолюминесценции при условии, что энергия электронного возбуждения кристалла превышает энергию внутрицентрового перехода иона Mn²⁺ E_Mn~2.1 эВ. Тушение подразумевает эффективную передачу энергии от фотовозбужденного кристалла ионам Mn²⁺. Возможны три механизма такой безызлучательной передачи энергии: диполь-дипольный, обменный и родственный ему механизм, связанный с s-0.8ptp-d смешиванием. Хотя считается, что диполь-дипольный механизм малоэффективен из-за запрещенного внутрицентрового перехода у Mn²⁺, а доминирующим является спин-зависимый обменный механизм, не все экспериментальные факты, накопленные к данному моменту, подтверждают этот вывод. В статье обсуждаются два экспериментальных подхода, позволяющих выявить доминирующий механизм передачи энергии ионам Mn²⁺ и оценить парциальные вклады различных механизмов. Один из этих подходов связан с оптически детектируемым магнитным резонансом на одиночных полумагнитных квантовых точках, второй - с плазмонным усилением передачи энергии ионам Mn²⁺ посредством диполь-дипольного взаимодействия. Ключевые слова: полумагнитные полупроводники, безызлучательная рекомбинация, магнитолюминесценция, квантовые точки, плазмонное излучение.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.