Вышедшие номера
Диэлектрическая спектроскопия и механизм фазового перехода полупроводник-металл в легированных пленках VO2:Ge и VO2:Mg
Переводная версия: 10.1134/S1063782620040077
Ильинский А.В.1, Кастро Р.А.2, Пашкевич М.Э.3, Шадрин Е.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: shadr.solid@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 5 декабря 2019 г.
Принята к печати: 5 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

В интервале 0.1-106 Гц получены частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь, tgdelta(f), а также диаграммы Коулa-Коулa для пленок диоксида ванадия, легированных германием и магнием. Измерения проведены при различных температурах в интервале 173-373 K. При комнатной температуре для пленок VO2:Ge обнаружено появление на низких частотах дополнительного по отношению к нелегированным пленкам максимума на частотной зависимости tgdelta(f) и дополнительной полуокружности на диаграмме Коулa-Коулa. Для пленок VO2:Mg аналогичные дополнительные особенности диэлектрических спектров возникают на высоких частотах. Показано, что вид диаграмм Коулa-Коулa для всех пленок практически не зависит от температуры в указанном температурном интервале, тогда как частоты f0, соответствующие максимумам tgdelta(f), увеличиваются с ростом температуры. Для интерпретации данных диэлектрической спектроскопии предложена комбинированная эквивалентная электрическая схема образца пленки. Установлены механизмы воздействия примесей Ge и Mg на характеристики комплексного мотт-пайерлсовского фазового перехода полупроводник-металл. Ключевые слова: диоксид ванадия VO2, VO2:Ge, VO2:Mg, корреляционные эффекты, фазовый переход, диэлектрическая спектроскопия, электронная микроскопия.
  1. F. Kremer, A. Schonhals. Broadband dielectric spectroscopy (Springer, Berlin-Heidelberg, 2003)
  2. А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, А.А. Кононов, М.Э. Пашкевич, И.О. Попова, Е.Б. Шадрин. Письма ЖТФ, 45 (11), 44 (2019)
  3. А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, М.Э. Пашкевич, Е.Б. Шадрин. ЖТФ, 89 (12), 1884 (2019)
  4. А.В. Ильинский, О.Е. Квашенкина, Е.Б. Шадрин. ФТП, 46 (4), 439 (2012)
  5. И.Н. Гончарук, А.В. Ильинский, О.Е. Квашенкина, Е.Б. Шадрин. ФТТ, 55 (1), 147 (2013)
  6. A.V. Il'inskii,  V.Y. Davydov, R.A. Kastro, O.E. Kvashenkina,  M.E. Pashkevich, E.B. Shadrin. Tech. Phys. Lett., 39 (8), 705 (2013)
  7. А.В. Ильинский, М.Э. Пашкевич, Е.Б. Шадрин. НТВ СПбГПУ, ФMH, 10 (3), 9 (2017)
  8. Л.Т. Бугаенко, С.М. Рябых, А.Л. Бугаенко. Вестн. МГУ. Cер. 2, Химия, 46 (6), 363 (2008)
  9. W.W. Li, Q. Yu, J.R. Liang, K. Jiang, Z.G. Hu, J. Liu, H.D. Chen, J.H. Chu. Appl. Phys. Lett.,  99, 241903 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3665626
  10. А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение (Л., Наука, 1979)
  11. A.V. Ilinskiy, O.E. Kvashenkina, E.B. Shadrin. Smart Nanocomposites, 7 (1), 69 (2016)
  12. А.И. Волков, И.М. Жарский. Большой химический справочник (Современная шк., 2005). ISBN 985-6751-04-7

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.